Реферат
Отчета по проекту № 1812 «Управляемая спиновая динамика квантово размерных полупроводниковых наноструктур». Руководитель проекта: профессор, доктор физ.-мат. наук Агекян В. Ф
Отчет 64 с., 5 ч., 19 рис., 1 табл., 0 источников, 0 прил.
<Полупроводниковые гетероструктуры, квантовые ямы, квантовые точки, резидентные носители, спиновая память >
Исследования по проекту направлены на изучение динамики ориентации электронного и ядерных спинов в полупроводниковых квантовых точках. Цель проекта – разработка физических основ управления спиновой динамикой в наноразмерныъх полупроводниковых структурах и поиск технологических путей создания элементов спиновой памяти и логики для суперкомпьютеров нового поколения. Основными задачами работы за отчетный период являлось предварительное исследование кинетики динамической ядерной поляризации при оптической накачке полупроводниковых квантовых точек, и исследование влияния сверхтонкого взаимодействия на динамику спина электрона, локализованного на неоднородностях гетерограниц в узких квантовых ямах. Для выполнения указанных задач была выращена и оптически охарактеризована серия гетероструктур на основе GaAs/InAs/AlAs. На отобранные из этой серии образцы были нанесены мозаичные электроды. Для изучения динамики ядерной поляризации было проведено экспериментальное исследование кинетики отрицательно циркулярно поляризованной люминесценции в поперечном магнитном поле.
Основные результаты, полученные на данном этапе:
Изготовлены эпитаксиальные гетероструктуры с InGaAs квантовыми ямами, на которые методом наноэлектронной литографии нанесены мозаичные электроды заданной конфигурации.
Развита теоретическая модель, описывающая поведение экситонных поляритонов в широкой квантовой яме для структур с симметрией цинковой обманки при наличии поперечного магитного поля (геометрия Фогта).
Выполнены количественные расчеты спектров для характерных параметров структур с квантовой ямой на основе CdTe/ZnCdTe.
Экспериментально изучено поведение степени циркулярной поляризации люминесценции InGaAs/GaAs квантовых точек как функция магнитного поля, перпендикулярного направлению оптического возбуждения (геометрия Фогта).
На основании полученных экспериментальных данных оценены характеристические времена процессов создания и затухания ядерной поляризации в изученной структуре.
Проведены исследования, направленные на усовершенствование методики роста кремниевых микровискеров, разработка методики их покрытия широкозонным защитным слоем и изучение оптических характеристик соответствующих систем.
Разработана методика, позволяющая утончать микровискеры, покрывать их оболочкой из двуокиси кремния толщиной от нескольких нанометров до сотен нанометров и наносить на поверхность двуокиси кремния нанослои кремния. Исследованы оптические спектры в области решеточных колебаний.
Обнаружена и исследована люминесценция микровискеров в видимой и ближней ИК областях. В спектрах люминесценции идентифицированы полосы, принадлежащие как микровискерам, так и внешним нанослоям кремния, для которых наблюдается квантово-размерный эффект.
Другие работы по теме:
Динамика заработной платы бухгалтера ООО "Парус"
Диаграмма динамики заработной платы бухгалтера на примере ООО "Парус". Фактическое отработанное на производстве время. Часовая тарифная ставка и ее динамика. Динамика структуры затрат на покупку хлеба, затрат по кварталам в процентах, тарифной ставки.
Современное состояние и перспектива развития полупроводниковых приборов для электрооборудования
8. промышленности. Полупроводниковые приборы силовой электроники – важнейшая элементная база энергосберегающего преобразовательного оборудования. Они выполняют функции мощных электронных управляемых ключей для коммутации тока в схемах преобразования электрической энергии (выпрямление, инвертирование, регулирование переменного и постоянного токов, стабилизация питающих сетей, защита от перенапряжений и т.п.).
Расчёт технологических размеров и допусков
Расчётно-графическая работа з дисциплины ВСТИ Тема: « Рассчёт технологических размеров и допусков» Задание: рассчитать технологические размеры и допуски, при выполнении которых выдерживались бы заданные чертежом размеры, и обеспечивалось снятие минимальных припусков.
Материаловедение полупроводников
Успех развития полупроводниковой техники и связанных с ней отраслей (электроники, энергетики и др.) в значительной мере определяются достижениями в области разработки и получения полупроводниковых сплавов.
Решение размерных цепей методом полной взаимозаменяемости
Методика и основные этапы решения размерных цепей методом полной взаимозаменяемости, порядок проведения прямых и обратных расчетов. Определение координаты середины поля допуска замыкающего звена, допуска замыкающего звена по известной зависимости.
Проекта рнп 1 №4139
Объект исследования– сложные молекулы, их агрегированные формы, кластеры и наноструктуры, находящиеся в гетерогенных условиях
а по теме динамика управляемых преобразовательных устройств
Введение. Цели регулирования пу. Анализ простейшей системы позиционного регулирования, сравнительная оценка идеального релейного и линейного регуляторов по быстродействию. Непрерывное и импульсное регулирование, их оценка по энергетике
Отчет 55 с., 4 ч., 12 рис
В рамках оригинальной модели параллельной квантовой памяти описано неразрушающее взаимодействие света с долгоживущей спиновой подсистемой
Фуллерены
Образование и рост углеродных наноструктур - фуллеренов, наночастиц, нанотрубок и конусов Нами проанализированы различные модели образования фуллеренов и других углеродных наноструктур. Рассмотрены следующие модели: сборка фуллеренов из фрагментов графита, модель "улитки", сборка из кластеров, "путь фуллерена", отжиг углеродных кластеров.
Расчет размерных цепей
Размерная цепь – совокупность размеров, образующих замкнутый контур и непосредственно участвующих в решении.
Правила нанесения размеров на чертежа
Министерство образования и науки Республики Казахстан Павлодарский государственный университет им. С. Торайгырова Архитектурно-строительный факультет
Интегральная и микропроцессорная схемотехника
Рабочая программа курса «Интегральная и микропроцессорная схемотехника» Введение . Роль интегральной электроники в развитии современной науки и техники. Этапы перехода от дискретных элементов к интегральным микросхемам. Успехи, достигнутые в области разработки полупроводниковых приборов и микросхемотехники.
Утрехтское епископство
(нидерл. Sticht Utrecht) — княжество-епископство Священной Римской империи, существовавшее с 1024 по 1528 годы. Основание В 695 году папа Сергий I сделал Виллиброрда епископом Фризии. При поддержке правителя франков Пипина Геристальского был основан рыночный город Утрехт, где Виллиброрд и обосновался.
Форрестер, Джей
Джей Форрестер (англ. Jay Wright Forrester) — американский инженер, разработчик теории системной динамики. Родился 14 июля 1918 г. в Анселмо, штат Небраска. Окончил университет штата Небраска в Линкольне и Массачусетский технологический институт в Кембридже. После его окончания стал заниматься преподавательской работой.
Генеральные земли
(нидерл. Generaliteitslanden) — часть территории Республики Соединённых провинций, управляемая напрямую Генеральными штатами; на этих землях не было Провинциальных штатов и они не были представлены в центральном правительстве.
Индейская резервация
План Введение 1 США 1.1 История 2 Канада 3 Бразилия Список литературы Введение Инде́йская резерва́ция — территория в США, Канаде и некоторых других государствах Америки, управляемая индейским племенем.
История развития вычислительной техники 2 2
Text Text 1953-1955. IBM 604, IBM 608, IBM 702 1953-1955. IBM 604, IBM 608, IBM 702 1965-1966. БЭСМ-6 60 000 транзисторов 200 000 диодов 1 млн. операций в секунду память – магнитная лента, магнитный барабан работали дл 90-х гг. Graphics
Селен
Se - химический элемент 4-ой группы периодической системы Менделеева с относительным номером 34, с атомной массой 78,96. Название селена от греческого selen - Луна. Образует несколько модификаций.
Гроув Эндрю
Гроув Эндрю (Grove S. Andrew) (р. 1936, Будапешт), американский ученый и предприниматель (венгерского происхождения), председатель и главный исполнительный директор корпорации Intel - мирового лидера в области микропроцессорных технологий.