Содержание Лист Введение Техника безопасности Ознакомление с предприятием Общие сведения о предприятии Изучение работы цеха Работа на штатном рабочем месте и в качестве дублёров

Министерство Образования Российской Федерации Воронежский Государственный Технический Университет Кафедра Сварочного Оборудования и Технологии Сварочного Производства

Типовые проверочные задания по дисциплине Технология и эксплуатация САПР 1 билет 1. Основные этапы технологии биполярных ИС. Базовый процесс формирования биполярной интегральной схемы (ИС) может быть показан на примере формирования интегрального транзистора. Исходным материалом сослужит пластина Si с проводимостью p-типа.

Московский Государственный Технический Университет им. Баумана Физико-химические основы технологии электронных средств Реферат на тему: Технология получения монокристаллического

Содержание Задание к дипломному проекту Введение Электропитающие устройства АТС 1.1. Электрические машины постоянного тока 1.2. Электрические машины переменного тока

Устройство, принцип работы, обозначения диодных и триодных тиристоров . Приборы с четырехслойной структурой р-п-р-п представляют собой один из видов многочисленного семейства полупроводниковых приборов, свой­ства которых определяются наличием в толще полупроводниковой пластины смежных слоев с различными типами проводимости.

1. ЧЕТЫРЕХСЛОЙНЫЕ р-п-р-п СТРУКТУРЫ Наряду с приборами, дающими возможность осуществ­лять линейное усиление сигналов, в электронике, в вычис­лительной технике и, особенно в автоматике широкое при­менение находят приборы с падающим участком вольтамперной характеристики. Эти приборы чаще всего выпол­няют функции электронного ключа и имеют два состояния: запертое, характеризующееся высоким сопротивлением, и отпертое, характеризующееся минимальным сопротив­лением.

МИРЭА(ТУ) РЕФЕРАТ НА ТЕМУ: ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ Работы выполнил: Семенов Д.А. РР-2-97 План. Роль тонкопленочной технологии в производстве интегральных схем

НТУУ “КПИ” РТФ Доклад тема: “Травление п/п ИМС” ыполнил студент 2-го курса группы РТ-22 Кираль С. О. Kиев 2004 Введение Одним из определяющих технологических процессов в микроэлектронике в течение более 40 лет продолжает оставаться литография. Литография или микролитография, а сейчас может быть уместно, говорить о нанолитографии, предназначена для создания топологического рисунка на поверхности монокристаллической кремниевой пластины.

Свойства p—n-пеpехода можно использовать для создания усилителя элек-тpических колебаний, называемого полупpоводниковым тpиодом тpанзисто-pом

Сам. Г.Т.У. Кафедра «электроснабжения» Р Е Ф Е Р А Т «Трансформатор напряжения» Выполнил Тимофеев 3-й курс Принял Самара 2003г. Измерительные трансформаторы

Мощность транзистора 72.900 ШЛМ 32х25 Напряжение на первичной обмотке, В 220.000 а, мм Напряжение на вторичной обмотке, В 24.000 b, мм 9.000 c, мм Ток, потребляемый на вторичной обмотке, А

ФСПО МГАПИ Реферат По предмету «Конструирование и производство РЭА» Тема: «Трансформаторы» Выполнил: Евпалов Е.Н., Зиновьев А.Н. Проверил: Федотов В.Д.

Для симметричной схемы трехфазной цепи согласно заданных параметров выполнить следующее: рассчитать угловую частоту и сопротивления реактивных элементов схемы (L, C).

1. Общие сведения Устройство, имеющее два устойчивых состояния, называют триггером. Он имеет два выхода, один из них называют прямым, а другой — инверсным. Потенциалы на них взаимно инвертированы: лог. 1 на одном выходе соответствует лог. 0 на другом. С прихо­дом переключающих (запускающих) сигналов переход триггера из одного состояния в другое происходит лавинообразно, и потен­циалы на выходах меняются на противоположные.

1. Устройство и принцип действия Для того чтобы увеличить возможность управления потоком электронов, эмиттированных .катодом, тем самым расширить об­ласть применения электронных ла.мп, были созданы трехэлектрод­ные лампы — триоды. В триоде (рис. 1) между анодом

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РЕСПУБЛИКИ БЕЛАРУСЬ БЕЛАРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОННИКИ Кафедра химии Факультет компьютерного проектирования

Министерство образования Российской Федерации. ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР) Кафедра радиоэлектроники и защиты информации (РЗИ)

Министерство образования Российской Федерации ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР) Кафедра радиоэлектроники и защиты информации (РЗИ)

Министерство образования Российской Федерации ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР) Кафедра радиоэлектроники и защиты информации (РЗИ)

Введение Устройства функциональной электроники – это устройства, которые работают на различных физических явлениях, работа связана с использованием динамических неоднородностей ( временные дефекты в однородном твердом теле ). Их функционирование описывается уравнениями математической физики.

АЛМАТИНИСКИЙ ИНСТИТУТ ЭНЕРГЕТИКИ И СВЯЗИ Кафедра промышленной электроники ПреобразовательнаЯ техника МИКРОМИНИАТЮРИЗАЦИЯ ИСТОЧНИКОВ ВТОРИЧНОГО

Министерство общего и профессионального образования Томский политехнический университет Курсовая работа по электронике «Универсальный блок питания»

Московский ОРДЕНА ЛЕНИНА И ОРДЕНА ОКТЯБРЬСКОЙ РЕВОЛЮЦИИ Авиационный Институт имени СЕРГО ОРДЖОНИКИДЗЕ (технический университет) Кафедра 402 “радиосистемы управления и передачи информации”

ИНИСТЕРСТВО ОБЩЕГО И ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ «СТАНКИН» ОТЧЕТ

Министерство образования РФ Южно-Российский Государственный Технический Университет (НПИ) ИНСТИТУТ ИИТУ КАФЕДРА СПЕЦИАЛЬНОСТЬ Промышленная электроника__

Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ТВЕРСКОЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ Кафедра Курсовая работа по электронике.

Министерство общего и профессионального образования РФ Уральский государственный технический университет Кафедра ФМПК РАСЧЁТ ЭЛЕКТРОННОГО УСИЛИТЕЛЯ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ПО ВЫСШЕМУ ОБРАЗОВАНИЮ Уральский государственный технический университет - УПИ Радиотехнический факультет

Министерство образования Российской Федерации ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР) Кафедра радиоэлектроники и защиты информации (РЗИ)

Министерство образования Российской Федерации ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР) Кафедра радиоэлектроники и защиты информации (РЗИ)

Санкт-Петербургский Государственный Университет Телекоммуникаций им.проф. М.А.Бонч-Бруевича КУРСОВОЙ ПРОЕКТ “Усилитель многоканальной системы передачи”

инистерство образования Российской Федерации ТОМСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР) Кафедра радиоэлектроники и защиты информации (РЗИ)

Министерство образования Российской Федерации ТОМСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР) Кафедра радиоэлектроники и защиты информации (РЗИ)

Министерство Образования Российской Федерации Томский государственный университет систем управления и радиоэлекроники (ТУСУР) Кафедра радиоэлектроники и защиты информации(РЗИ)