Лабораторная работа 2
Тема:
Исследование
биполярного транзистора
Цель:
Получение
входных и выходных характеристик транзистора
Приборы
и элементы: биполярный
транзистор 2N3904; источник постоянной ЭДС; источник переменной ЭДС; амперметры;
вольтметры; осциллограф; резисторы.
Ход работы:
1.
Получение выходной характеристики транзистора в схеме с ОЭ.
Рисунок
1. Включение биполярного транзистора по схеме с общим эмиттером
Таблица
1. Результат эксперимента
|
Ек(В) |
Еб(В) |
Iб(мкА) |
0,1 |
0,5 |
1 |
5 |
10 |
20 |
1,66 |
9,341 |
-783,3 |
-1,604 |
-1,612 |
-1,637 |
-1,749 |
-1,901 |
2,68 |
19,23 |
-1,656 |
-3,453 |
-3,469 |
-3,595 |
-3,753 |
-4,069 |
3,68 |
29,32 |
-2,479 |
-5,209 |
-5,233 |
-5,422 |
-5,657 |
-6,129 |
4,68 |
39,02 |
-3,269 |
-6,903 |
-6,934 |
-7,182 |
-7,439 |
-8,115 |
5,7 |
49,15 |
-4,042 |
-8,568 |
-8,606 |
-8,914 |
-9,299 |
-10,07 |
2.
Получение входной характеристики транзистора в схеме с ОЭ.
а)
На схеме (рис. 2) установить значение напряжения источника Ек равным
10 В и провести измерения тока базы iБ, напряжения база-эмиттер U6э,
тока эмиттера IЭ для различных значений напряжения источника Eg в
соответствии с таблицей 10.2 в разделе "Результаты экспериментов".
Обратить внимание, что коллекторный ток примерно равен току в цепи эмиттера.
б) В
разделе "Результаты экспериментов" по данным таблицы 10.2 построить график
зависимости тока базы от напряжения база-эмиттер.
Рисунок
2
в)
Построить схему, изображенную на рис 3. Включить схему. Зарисовать входную
характеристику транзистора, соблюдая масштаб, в разделе "Результаты
экспериментов".
Рисунок
3
г)
По входной характеристике найти сопротивление rВХ при изменении
базового тока с 10 µA до 30 µА. Результат записать в раздел "Результаты
экспериментов".
Контрольные вопросы
1.
Дать определение транзистора.
2.
Виды и типы транзисторов.
3.
Режимы работы транзисторов.
Другие работы по теме:
Исследование биполярного транзистора 2
Лабораторная работа 1 Тема: " Исследование биполярного транзистора" Цель: Получение входных и выходных характеристик транзистора. Приборы и элементы: Биполярный транзистор 2N3904, источник постоянной ЭДС, источник переменной ЭДС, амперметры, вольтметры, осциллограф, резисторы.
Самостоятельная нагрузка
Биполярный транзистор как трехэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора, его отличительные характеристики, устройство и элементы. Принцип действия транзисторов и схема его включения. Входная и выходная характеристика транзистора.
Расчет ребристого радиатора
Реферат Тема: "Расчет ребристого радиатора" 2009 Расчёт ребристого радиатора при естественном воздушном охлаждении для транзистора 2Т808А заданной мощности 15 Вт
Исследование полевых транзисторов
ГУАП КАФЕДРА № 25 ОТЧЕТ ЗАЩИЩЕН С ОЦЕНКОЙ ПРЕПОДАВАТЕЛЬ должность, уч. степень, звание подпись, дата инициалы, фамилия ОТЧЕТ О ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Исследование биполярного транзистора МП-40А
Параметры транзистора МП–40А, чертеж его основных выводов. Входная и выходная характеристики данного транзистора. Определение параметров для схемы с общим эмиттером. Схема с общим коллектором и общей базой. Расчет параметров для соответствующей схемы.
Расчет ребристого радиатора
Методика и характеристика основных этапов расчёта ребристого радиатора при естественном воздушном охлаждении для транзистора 2Т808А заданной мощности 15 Вт. Определение необходимого напора внутри радиатора, температуры среды и коэффициента теплоотдачи.
Расчет усилителя низкой частоты
Реферат Курсовая работа оформлена на 35 страницах машинописного текста, содержит 18 рисунков, 16 источников использованной литературы и 5 приложений.
Расчет усилителя на биполярном транзисторе
Расчетно-графическая работа по курсу электроники. Расчет однокаскадного усилителя. Вариант №25. Задание: Требуется рассчитать однокаскадный усилитель на биполярном транзисторе, схема которого приведена ниже. В этой схеме тип транзистора определяется полярностью заданного напряжения.
Расчет полевого транзистора
1 Расчет входной и выходной характеристики транзистора с использованием модели Молла – Эберса. 1.1 Расчет и построение выходных характеристик транзистора
Биполярные транзисторы 5
Московский Ордена Ленина, Ордена Октябрьской Революции и Ордена Трудового Красного Знамени ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ им. Н.Э.БАУМАНА
является с
Курсовая работа это учебная научно-исследовательская работа студента, которая выполняется на протяжении всего курса под руководством преподавателя и оформляется по определенным правилам
Низкочастотный усилитель напряжения
Расчет элементов усилителя напряжения низкой частоты Амплитуда входного сигнала 1 мВ Сопротивление генератора входного сигнала 5 кОм Амплитуда выходного сигнала 5 В
Усилительный каскад на биполярном транзисторе
Разработка и расчет основных характеристик усилительных каскадов. Сущность и применение графоаналитического метода. Вычисление параметров эквивалентных схем биполярных и полевых транзисторов. Нелинейные искажения и анализ данных в усилительном каскаде.
Низкочастотный усилитель напряжения
Расчет элементов усилителя напряжения низкой частоты по заданным параметрам. Расчет усилительного каскада на транзисторе структуры p-n-p, включенного по схеме с ОЭ по постоянному току (1-ый и 2-ой каскад). Методика определения емкостей элементов.
Исследование биполярного транзистора
Исследование статических характеристик биполярного транзистора. Наружная область с наибольшей концентрацией примеси. Схема подключения к источникам питания. Дифференциальное входное сопротивление. Дифференциальное сопротивление перехода база-эмиттер.
Функциональные устройства телекоммуникаций
Контрольное задание №1 Исходные данные (Вариант №4): Еп, В I0K, мА U0КЭ, В EГ, мВ RГ, кОм fН, Гц fВ, кГц M, дБ tСМИН, оC tСМАКС, оC Изобразим полную принципиальную схему предварительного каскада элементами связи с источником сигнала и последующим каскадом.
Биполярные транзисторы
Устройство плоскостного биполярного транзистора. Концентрация основных носителей заряда. Схемы включения биполярных транзисторов. Статические характеристики биполярных транзисторов. Простейший усилительный каскад. Режимы работы и область применения.
Функциональные устройства телекоммуникаций
Принципиальная схема предварительного каскада с источником сигнала и последующим каскадом. Выбор типа транзистора, исходя из заданного режима его работы и частоты верхнего среза усилителя. Расчет параметров малосигнальной модели биполярного транзистора.
Разработка двухкаскадного усилителя с непосредственной связью
Критерии выбора типа транзистора для усилительного каскада (напряжение между коллектором и эмиттером). Расчет режима работы по постоянному и переменному току, значений резисторов, конденсаторов, индуктивностей. Ознакомление с программой Micro Cap 8.
Моделирование электрических цепей с нелинейными элементами
Моделирование схем с резистивным нелинейным элементом. Исследование характеристик транзистора. Графический ввод, редактирование и анализ принципиальных схем в режимах анализа переходных процессов, частотного анализа и анализа в режиме постоянного тока.
Шокли Уильям
Шокли (Chockley) Уильям Брэдфорд (1910, Лондон - 1989), американский физик. Труды по физике твердого тела и полупроводников.
Підсилювачі на НВЧ - транзисторах.
Лекція 31 . Підсилювачі НВЧ відрізняються від звичайних тим, що треба узгодити вхід-вихід та каскади. Наприклад розглянемо еквівалентну схему транзистора АП-326А: