Исследование полевых транзисторов

Рефераты по физике » Исследование полевых транзисторов

ГУАП

КАФЕДРА № 25

ОТЧЕТ
ЗАЩИЩЕН С ОЦЕНКОЙ

ПРЕПОДАВАТЕЛЬ






должность, уч. степень, звание
подпись, дата
инициалы, фамилия

ОТЧЕТ О ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
по курсу: ЭЛЕКТРОНИКА

РАБОТУ ВЫПОЛНИЛ

СТУДЕНТ ГР. 2941


Н.А. Никитин



подпись, дата
инициалы, фамилия

Санкт-Петербург 2011

Лабораторная работа №3
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

1 Цель работы: изучение принципа действия, измерение характеристик и определение основных параметров полевого транзистора с управляющим р-п переходом и полевого транзистора с изолированным затвором.

2 Описание лабораторной установки

Схема исследования статистических характеристик полевого транзистора с управляющим р-п переходом приведена на рисунке 1.

Рисунок 1 – Схема исследования статистических характеристик полевого транзистора 2П103Б с управляющим р-п переходом и каналом р-типа

Схема исследования статистических характеристик полевого транзистора с изолированным затвором приведена на рисунке 2.

Рисунок 2 – Схема исследования статистических характеристик
МДП-транзистора 2П301А с индуцированным (обогащённым) каналом р-типа

Напряжения питания подаются с гнёзд источников стабилизированных напряжений Е-1 и Е-2, имеющих собственную цифровую индикацию и плавные регулировки R9 и R10 выходных напряжений соответственно. Измерения постоянных напряжений и токов в схемах осуществляется с помощью цифровых тестеров серии MY6x. При этом тестер, используемый для измерения тока, всегда включается последовательно с исследуемым объектом; а тестер, используемый для измерения напряжения, всегда включается параллельно с исследуемым объектом.

3 Измерительная часть

3.1 Измерение статических характеристик полевого транзистора с управляющим р-п переходом

Таблица 1 – Статические характеристики полевого транзистора с управляющим р-п переходом (КП103Б)

Uси, В Ic, мА
Uзи=0 Uзи=0,1 Uзи=0,2 Uзи=0,3 Uзи=0,4 Uзи=0,5 Uзи=0,6 Uзи=0,7=Uзи отс
0 0 0 0 0 0 0 0 0
-1 0,34 0,33 0,22 0,14 0,08 0,03 0,01 0
-2 0,36 0,35 0,24 0,15 0,09 0,03 0,02 0
-3 0,38 0,36 0,25 0,15 0,1 0,03 0,02 0
-4 0,39 0,37 0,25 0,155 0,11 0,03 0,02 0
-5 0,395 0,38 0,26 0,16 0,11 0,04 0,03 0
-6 0,4 0,385 0,26 0,16 0,12 0,04 0,03 0
-7 0,41 0,39 0,27 0,16 0,125 0,04 0,035 0
-8 0,415 0,4 0,27 0,16 0,13 0,04 0,4 0

Семейство выходных характеристик полевого транзистора с управляющим р-п переходом представлено на рисунке 3.

Семейство управляющих характеристик полевого транзистора с управляющим р-п переходом представлено на рисунке 4.

3.2 Измерение статических характеристик МДП-транзистора с индуцированным каналом р-типа

Таблица 2 – Статические характеристики МДП-транзистора (КП301А)

Uси, В Ic, мА

Uзи=Uзи пор

-2,8 В

Uзи=|Uзи пор|
+0,5 В

Uзи=|Uзи пор|
+1 В

Uзи=|Uзи пор|
+1,5 В

Uзи=|Uзи пор|
+2 В

Uзи=|Uзи пор|
+2,5 В

Uзи=|Uзи пор|
+3 В

0 0 0 0 0 0 0 0
-1 0,2 0,5 0,87 1,44 1,8 2,2 2,4
-2 0,23 0,54 1,03 1,8 2,5 3,1 4,0
-3 0,24 0,6 1,15 1,92 2,8 3,6 4,6
-4 0,25 0,65 1,2 2,01 2,95 3,85 5,0
-5 0,26 0,68 1,2 2,1 3,0 4,0 5,2
-6 0,28 0,7 1,3 2,2 3,2 4,2 5,3
-7 0,3 0,7 1,37 2,3 3,3 4,3 5,5
-8 0,31 0,75 1,4 2,4 3,4 4,4 5,7


Семейство выходных характеристик МДП-транзистора с индуцированным каналом р-типа представлено на рисунке 5.

Семейство управляющих характеристик МДП-транзистора с индуцированным каналом р-типа представлено на рисунке 6.

4 Расчётная часть

4.1 Расчёт дифференциальных параметров полевого транзистора с управляющим р-п переходом

а) Расчёт крутизны стоково-затворной характеристики транзистора

где – относительное приращение тока стока;
- относительное приращение напряжения между затвором и стоком транзистора

б) Расчёт внутреннего сопротивления транзистора переменному току

где – относительное приращение напряжения между стоком и истоком транзистора

Ом

в) Расчёт статического коэффициента усиления транзистора

4.2 Расчёт дифференциальных параметров МДП-транзистора с индуцированным каналом р-типа

а) Расчёт крутизны стоково-затворной характеристики транзистора

где – относительное приращение тока стока;
- относительное приращение напряжения между затвором и стоком транзистора

б) Расчёт внутреннего сопротивления транзистора переменному току

где – относительное приращение напряжения между стоком и истоком транзистора

Ом

в) Расчёт статического коэффициента усиления транзистора

Вывод: в данной лабораторной работе был изучен принцип действия двух типов полевых транзисторов – транзисторов с управляющим р-п переходом и транзисторов с индуцированным каналом р-типа, измерены их статические характеристики и определены основные параметры.