ГУАП
КАФЕДРА № 25
ОТЧЕТ
ЗАЩИЩЕН С ОЦЕНКОЙ
ПРЕПОДАВАТЕЛЬ
|
|
|
|
|
должность, уч. степень, звание |
| подпись, дата |
| инициалы, фамилия |
ОТЧЕТ О ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ |
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ |
по курсу: ЭЛЕКТРОНИКА |
|
|
РАБОТУ ВЫПОЛНИЛ
СТУДЕНТ ГР. | 2941 |
|
|
| Н.А. Никитин |
|
|
| подпись, дата |
| инициалы, фамилия |
Санкт-Петербург 2011
Лабораторная работа №3
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
1 Цель работы: изучение принципа действия, измерение характеристик и определение основных параметров полевого транзистора с управляющим р-п переходом и полевого транзистора с изолированным затвором.
2 Описание лабораторной установки
Схема исследования статистических характеристик полевого транзистора с управляющим р-п переходом приведена на рисунке 1.
Рисунок 1 – Схема исследования статистических характеристик полевого транзистора 2П103Б с управляющим р-п переходом и каналом р-типа
Схема исследования статистических характеристик полевого транзистора с изолированным затвором приведена на рисунке 2.
Рисунок 2 – Схема исследования статистических характеристик
МДП-транзистора 2П301А с индуцированным (обогащённым) каналом р-типа
Напряжения питания подаются с гнёзд источников стабилизированных напряжений Е-1 и Е-2, имеющих собственную цифровую индикацию и плавные регулировки R9 и R10 выходных напряжений соответственно. Измерения постоянных напряжений и токов в схемах осуществляется с помощью цифровых тестеров серии MY6x. При этом тестер, используемый для измерения тока, всегда включается последовательно с исследуемым объектом; а тестер, используемый для измерения напряжения, всегда включается параллельно с исследуемым объектом.
3 Измерительная часть
3.1 Измерение статических характеристик полевого транзистора с управляющим р-п переходом
Таблица 1 – Статические характеристики полевого транзистора с управляющим р-п переходом (КП103Б)
Uси, В | Ic, мА |
Uзи=0 | Uзи=0,1 | Uзи=0,2 | Uзи=0,3 | Uзи=0,4 | Uзи=0,5 | Uзи=0,6 | Uзи=0,7=Uзи отс |
0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
-1 | 0,34 | 0,33 | 0,22 | 0,14 | 0,08 | 0,03 | 0,01 | 0 |
-2 | 0,36 | 0,35 | 0,24 | 0,15 | 0,09 | 0,03 | 0,02 | 0 |
-3 | 0,38 | 0,36 | 0,25 | 0,15 | 0,1 | 0,03 | 0,02 | 0 |
-4 | 0,39 | 0,37 | 0,25 | 0,155 | 0,11 | 0,03 | 0,02 | 0 |
-5 | 0,395 | 0,38 | 0,26 | 0,16 | 0,11 | 0,04 | 0,03 | 0 |
-6 | 0,4 | 0,385 | 0,26 | 0,16 | 0,12 | 0,04 | 0,03 | 0 |
-7 | 0,41 | 0,39 | 0,27 | 0,16 | 0,125 | 0,04 | 0,035 | 0 |
-8 | 0,415 | 0,4 | 0,27 | 0,16 | 0,13 | 0,04 | 0,4 | 0 |
Семейство выходных характеристик полевого транзистора с управляющим р-п переходом представлено на рисунке 3.
Семейство управляющих характеристик полевого транзистора с управляющим р-п переходом представлено на рисунке 4.
3.2 Измерение статических характеристик МДП-транзистора с индуцированным каналом р-типа
Таблица 2 – Статические характеристики МДП-транзистора (КП301А)
Uси, В | Ic, мА |
Uзи=Uзи пор -2,8 В | Uзи=|Uзи пор| +0,5 В | Uзи=|Uзи пор| +1 В | Uзи=|Uзи пор| +1,5 В | Uзи=|Uзи пор| +2 В | Uзи=|Uзи пор| +2,5 В | Uзи=|Uзи пор| +3 В |
0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
-1 | 0,2 | 0,5 | 0,87 | 1,44 | 1,8 | 2,2 | 2,4 |
-2 | 0,23 | 0,54 | 1,03 | 1,8 | 2,5 | 3,1 | 4,0 |
-3 | 0,24 | 0,6 | 1,15 | 1,92 | 2,8 | 3,6 | 4,6 |
-4 | 0,25 | 0,65 | 1,2 | 2,01 | 2,95 | 3,85 | 5,0 |
-5 | 0,26 | 0,68 | 1,2 | 2,1 | 3,0 | 4,0 | 5,2 |
-6 | 0,28 | 0,7 | 1,3 | 2,2 | 3,2 | 4,2 | 5,3 |
-7 | 0,3 | 0,7 | 1,37 | 2,3 | 3,3 | 4,3 | 5,5 |
-8 | 0,31 | 0,75 | 1,4 | 2,4 | 3,4 | 4,4 | 5,7 |
Семейство выходных характеристик МДП-транзистора с индуцированным каналом р-типа представлено на рисунке 5.
Семейство управляющих характеристик МДП-транзистора с индуцированным каналом р-типа представлено на рисунке 6.
4 Расчётная часть
4.1 Расчёт дифференциальных параметров полевого транзистора с управляющим р-п переходом
а) Расчёт крутизны стоково-затворной характеристики транзистора
где – относительное приращение тока стока;
- относительное приращение напряжения между затвором и стоком транзистора
б) Расчёт внутреннего сопротивления транзистора переменному току
где – относительное приращение напряжения между стоком и истоком транзистора
Ом
в) Расчёт статического коэффициента усиления транзистора
4.2 Расчёт дифференциальных параметров МДП-транзистора с индуцированным каналом р-типа
а) Расчёт крутизны стоково-затворной характеристики транзистора
где – относительное приращение тока стока;
- относительное приращение напряжения между затвором и стоком транзистора
б) Расчёт внутреннего сопротивления транзистора переменному току
где – относительное приращение напряжения между стоком и истоком транзистора
Ом
в) Расчёт статического коэффициента усиления транзистора
Вывод: в данной лабораторной работе был изучен принцип действия двух типов полевых транзисторов – транзисторов с управляющим р-п переходом и транзисторов с индуцированным каналом р-типа, измерены их статические характеристики и определены основные параметры.
Другие работы по теме:
Изучение работы полевого транзистора
Принцип работы полевого транзистора. Стоковые характеристики транзистора. Причина насыщения в стоковой характеристике полевого транзистора. Устройство полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Инверсия типа проводимости.
Исследование биполярного транзистора
Получение входных и выходных характеристик транзистора. Включение биполярного транзистора по схеме с общим эмиттером. Проведение измерения тока базы, напряжения база-эмиттер и тока эмиттера для значений напряжения источника. Расчет коллекторного тока.
МОП-транзисторы
СОДЕРЖАНИЕ ВВЕДЕНИЕ Устройство полевого транзистора. Схемы включения полевого транзистора. Эквивалентная схема полевого транзистора. 4. Параметры полевого транзистора.
Генератор на микросхеме
Функциональный генератор, описываемый в этой статье, построен на микросхеме КР580ГФ24, предназначенной для тактирования микропроцессора КР580ВМ80. К достоинствам генератора относится способность работать на частотах до 20 МГц, при этом хорошая форма треугольного напряжения сохраняется до частоты примерно 5 МГц.
Типы интегральных схем
Text Graphics Типы интегральных схем Graphics Корпуса микросхем Graphics Вид обрабатываемого сигнала Graphics
Интегральная и микропроцессорная схемотехника
Рабочая программа курса «Интегральная и микропроцессорная схемотехника» Введение . Роль интегральной электроники в развитии современной науки и техники. Этапы перехода от дискретных элементов к интегральным микросхемам. Успехи, достигнутые в области разработки полупроводниковых приборов и микросхемотехники.
Особенности транзисторов
Реферат На тему Особенности транзисторов 2010 Содержание Введение Устройство и принцип действия транзисторов Схема включения транзисторов Классификация и маркировка транзисторов
Моделирование работы МДП-транзистора в системе MathCad
Построение и обоснование компьютерной модели поведения обедненной области пространственного заряда МДП-транзистора в зависимости от напряжения, приложенного к стоку. Изучение классификации и принципа действия полевых транзисторов с индуцированным каналом.
Новое поколение транзисторов
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (РТ) новой технологии (IGBT) против полевых МОП транзисторов. Улучшенные динамические характеристики. Рабочие частоты и токи. Положительный температурный коэффициент. Потери проводимости и переключения.
Низкочастотный усилитель напряжения
Расчет элементов усилителя напряжения низкой частоты по заданным параметрам. Расчет усилительного каскада на транзисторе структуры p-n-p, включенного по схеме с ОЭ по постоянному току (1-ый и 2-ой каскад). Методика определения емкостей элементов.
Элементы ИМС на МДП-транзисторах и КМОП-транзисторах
Построение и анализ работы схем элементов интегральных микросхем средствами Electronics WorkBenck. Обработка информации цифровых устройств с помощью двоичного кода. Уровень сигнала на выходах управляющих транзисторов, перевод их в закрытое состояние.
Электронный ключ на полевом транзисторе
Электронные ключи – элементы, производящие под воздействием управляющего сигнала различные коммутации в импульсных и цифровых устройствах. Схемы электронных ключей на полевых транзисторах. Принцип их работы, схожесть с ключами на биополярных транзисторах.
Полевые транзисторы
Устройство и принцип действия полевого транзистора. Статические характеристики. Полевые транзисторы с изолированным затвором. Схемы включения полевых транзисторов. Простейший усилительный каскад. Расчет электрических цепей с полевыми транзисторами.
Ключевые элементы на биполярних транзисторах
Использование биполярных транзисторов в импульсных источниках электропитания. Линейная область работы транзистора. Коммутационные процессы в транзисторе, определяющие динамические потери при его переключении. Метод симметрирования токов транзисторов.
Исследование биполярного транзистора
Исследование статических характеристик биполярного транзистора. Наружная область с наибольшей концентрацией примеси. Схема подключения к источникам питания. Дифференциальное входное сопротивление. Дифференциальное сопротивление перехода база-эмиттер.
Принципы работы малошумящего усилителя
Шумовые характеристики СВЧ-устройств. Малошумящий усилитель, применяемый для уменьшения шума и повышения чувствительности конвертора. Основные требования к малошумящему усилителю. Работа усилителей, собранных на арсенид-галиевых полевых транзисторах.
Транзисторный безтрансформаторный каскад усилителя
Широкое применение безтрансформаторных усилителей мощности. Выполнение современных усилителей небольшой мощности по безтрансформаторным схемам для уменьшения габаритов, массы, стоимости и расширения полосы пропускания устройства. Выбор типа транзистора.
Расчет схемы мультивибратора на полевых транзисторах
Электронная вычислительная техника. Описание схемы устройства, расчет фантастронного генератора пилообразного напряжения. Генераторы прямоугольных импульсов, линейно-изменяющегося напряжения, ступенчато-изменяющегося напряжения, синусоидальных колебаний.
Специальные схемы усилительных каскадов
Виды и примеры применения составных транзисторов. Усилительные каскады с динамическими нагрузками. Свойства каскадного соединения. Амплитудно-частотные и переходные характеристики многокаскадных усилителей. Выбор числа каскадов импульсных усилителей.
Функциональные устройства телекоммуникаций
Принципиальная схема предварительного каскада с источником сигнала и последующим каскадом. Выбор типа транзистора, исходя из заданного режима его работы и частоты верхнего среза усилителя. Расчет параметров малосигнальной модели биполярного транзистора.
Проектирование и расчет усилителя электронного модуля
Реферат В данном курсовом проекте производится проектирование усилителя низкой частоты, состоящего из двух каскадов и RC-цепочки связи. Входной каскад представляет собой инвертирующий усилитель на ОУ, выходной – двухтактный бестрансформаторный усилительный каскад.
Проектирование и расчет усилителя низкой частоты
Понятие и назначение усилителя низкой частоты. Разработка и расчет принципиальной схемы. Проектирование усилителя низкой частоты, состоящего из двух каскадов и RC-цепочки связи. Анализ работы схемы при помощи программы Electronics Workbench Version 5.12.
Кожаные орудия
(швед. lдderkanoner) – лёгкие пушки, изобретённые в XVII в. в Швеции для использования в полевых условиях. В XV-XVI вв. пушки использовались главным образом при осаде крепостей и в качестве крепостной артиллерии. Применённые в 1494 г. французами во время итальянского похода орудия, перемещавшиеся при помощи лошадей, считались чем-то необычным.
История развития вычислительной техники 2 2
Text Text 1953-1955. IBM 604, IBM 608, IBM 702 1953-1955. IBM 604, IBM 608, IBM 702 1965-1966. БЭСМ-6 60 000 транзисторов 200 000 диодов 1 млн. операций в секунду память – магнитная лента, магнитный барабан работали дл 90-х гг. Graphics
Принцип действия полевого транзистора
В последние годы большое место в электронике заняли приборы, использующие явления в приповерхностном слое полупроводника. Основным элементом таких приборов является структура Металл-Диэллектрик-Полупроводник /МДП/. В качестве диэллектрической прослойки между металлом и полупроводником часто используют слой оксида, например диоксид кремния.
Полевые измерений в TopconTools
Создаем новый проект рис 1 В созданном проекте подгружаем схему опорной геодезической сети рис 2 Далее импортируем необработанные данные полевых измерений рис 3
Растениеводство как основная отрасль сельского хозяйства
Растениеводство – как основная отрасль сельского хозяйства. Растениево́дство — возделывание культурных растений с целью их использования как источника продуктов питания, получения продукции для кормовых целей, а также сырья для промышленности и иных, в том числе декоративных целей. Растениеводство как наука изучает многообразие сортов, гибридов, форм полевых культур, особенности биологии и наиболее совершенные приёмы возделывания, которые обеспечивают высокую урожайность и качество при наименьших затратах.
Уолтер Хаузер Браттейн
Уолтер Хаузер Браттейн - известный американский физик, изобретатель транзистора (совместно с Джоном Бардином и Уильямом Шокли). За это изобретения все три физика были удостоены Нобелевской премии.
Нойс Роберт (Noyce Robert Norton)
Нойс Роберт (Noyce Robert Norton - американский инженер, изобретатель (1959) интегральной схемы, системы взаимосвязанных транзисторов на единой кремниевой пластинке, основатель (1968, совместно с Г. Муром) корпорации Intel.