Лабораторная работа
Тема: Диодные ограничители
Цель: Исследовать работу
диодных ограничителей.
Ход работы:
Рисунок 1 - Схема диодного
ограничителя по min или снизу.
Рисунок 2 - Осциллограмма
ограничения отрицательной половины входного напряжения на уровне - 0,6 В.
Рисунок 3 - Схема диодного
ограничителя по min или снизу.
Рисунок 4 - Осциллограмма
ограничения входного напряжения на уровне - 4 В.
Рисунок 5 - Схема диодного
ограничителя по min или снизу.
Рисунок 6 - Осциллограмма
ограничения входного напряжения на уровне 4 В.
Рисунок 7 - Осциллограмма
ограничения положительной на 0,6 В и отрицательной на - 0,6 В половины входного
напряжения.
Рисунок 8 - Осциллограмма
ограничения положительной половины входного напряжения на уровне 2 В и
отрицательной половины входного напряжения на уровне - 4 В.
Другие работы по теме:
Велосипедный туризм
В последнее время огромное количество людей стало уделять большое внимание велоспорту. Поэтому на рынке туристических услуг появляются разнообразные предложения по организации различных велосипедных маршрутов во всем мире.
Электронные ключи
Назначение и параметры электронных ключей. Диодные, транзисторные ключи. Временные диаграммы тока и выходного напряжения идеального ключа. Схема и характеристики режима работы ключа на биполярном транзисторе. Время переключения ключей на транзисторах.
Выпрямители электрического тока
Выпрямитель электрического тока — преобразователь электрической энергии; механическое, электровакуумное, полупроводниковое или другое устройство, предназначенное для преобразования переменного входного электрического тока в постоянный выходной электрический ток.[1][2]
Ограничители импульсных сигналов
Назначение и типы ограничителей. Амплитудные селекторы. Дифференцирующие и интегрирующие цепочки. Диаграммы, поясняющие работу ограничителя. Сглаживание вершин импульсов с помощью ограничителя сверху. Выделение импульсов с помощью ограничителей.
Задняя подвеска автомобилей КамАЗ
Задняя подвеска автомобилей КамАЗ Задняя подвеска автомобиля КамАЗ — балансирная, на двух полуэллиптических рессорах , с реактивными штангами с резинометаллическими шарнирами. Концы рессор скользящие по опорам, приваренным к балкам мостов. Ось балансира выполнена цельной, без стяжки. Пальцы реактивной штанги азотированы, опоры рессор усилены.
Торможение объемных двигателей
Основные характеристики объемных гидродвигателей, использующих энергию потока жидкости и сообщающих выходному валу неограниченное вращательное движение. Принцип работы тормозных клапанов. Назначение и строение клапана ограничителя расхода в гидросистеме.
Определение скоростных характеристик автомобиля ЗИЛ-431410
Комплектация и стандартные условия стендовых испытаний двигателей, оценка тягово-скоростных свойств автомобиля. Определение потерь в трансмиссии автомобиля. Построение графика внешней скоростной характеристики двигателя. Расчет значений КПД трансмиссии.
Ковшовые элеваторы
1. Классификация В ковшовых конвейерах материал перемещает в отдельных сосудах -ковшах, закрепленных на тяговом элементе конвейерной резинотканевой ленты или на цепях.
Гос. экзамен билеты. Машиностроение
Министерство образования и науки Республики Казахстан Машиностроительный факультет Кафедра «Технология машиностроения» Тема: Билеты государственного экзамена
Состав домового электрощитка
Местом средоточения всея электрики в каждом доме или квартире является домовой электрический щит. Именно здесь при помощи различной аппаратуры происходит распределение электрической энергии по вашему жилищу.
TOP 10 нанопродуктов 2004
Прогнозы развития объема нанорынка к 2015 году довольно оптимистичны: 1 миллиард долларов. Нанотехнологии развиваются на сегодняшний день по экспоненциальной зависимости, поэтому объем рынка тоже может вырасти так же быстро.
Общая характеристика предприятия и анализ кадрового потенциала
Общая характеристика ПРУП "Транзистор", анализ его кадрового потенциала и организационной структуры управления. Состав персонала, динамика комплектования кадров. Мероприятия по формированию кадров за счет внутренних источников, политика по его сохранению.
Интегральная и микропроцессорная схемотехника
Рабочая программа курса «Интегральная и микропроцессорная схемотехника» Введение . Роль интегральной электроники в развитии современной науки и техники. Этапы перехода от дискретных элементов к интегральным микросхемам. Успехи, достигнутые в области разработки полупроводниковых приборов и микросхемотехники.
Расчет и выбор высоковольтных аппаратов
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ФЕДЕРАЛЬНОГО АГЕНСТВА ПО ОБРАЗОВАНИЮ ЮЖНЫЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ЮЖНОГО ФЕДЕРАЛЬНОГО УНИВЕРСИТЕТА
Расчет и проектирование диода Ганна
СОДЕРЖАНИЕ Введение I. Анализ конструктивных особенностей полупроводниковых диодов 1.1 Полупроводниковые диоды 1.1.1 Выпрямительные диоды 1.1.2 Диодные матрицы и сборки. Стабилитроны и стабистроны
Биполярные транзисторы 4
Курс: Компьютерная системотехника Тема: Биполярные транзисторы 1. Биполярные транзисторы Определение. Транзистор ППП с 3-мя электродами, служащий для усиления сигналов (в общем случае по мощности) или их переключения.
Основной усилитель в ультразвуковых сканерах
Сущность и особенности усиления эхо-сигналов в ультразвуковых сканерах. Основные характеристики логарифмического усилителя и его применение в устройствах для интроскопии. Параболический закон изменения управляющего напряжения в полиномиальном генераторе.
Коммутаторы аналоговых сигналов. Устройство и принцип действия
Устройство коммутаторов аналоговых сигналов. Сущность коммутации сигналов - метода, с помощью которого сигналы, поступающие от нескольких источников, объединяются в определенном порядке в одной линии. Многоканальные, матричные коммутаторы, мультиплексоры.
Стабилизаторы напряжения
Максимальное (номинальное) выходное напряжение. Диапазон регулирования. Допустимая относительная нестабильность. Временной (температурный) дрейф. Коэффициент стабилизации. Выходное сопротивление. Параметрические, последовательные стабилизаторы.
Методика расчета схем амплитудных ограничителей
Понятие и некоторые сведения о работе амплитудных ограничителей. Диодные и транзисторные амплитудные ограничители. Методика расчета диодных ограничителей амплитуды, ее основные этапы и назначение. Примеры и анализ расчетов ограничителей амплитуды.
Защита информации в телефонных линиях
Технические способы, применяемые для недопущения несанкционированных подключений. Активные методы защиты от утечки информации по электроакустическому каналу. Основные способы передачи пакетов с речевой информацией по сети в IP-телефонии, их шифрование.
План по многоканальной связи
Рассмотрены принципы образования современных многоканальных систем, построение стандартных каналов тч, групповых и линейных трактов и их использование для передачи различных видов сигналов (телефонных, телеграфных, фототелеграфных, сигналов вещания и др.). Дано понятие о системе ТАСИ и вокодерах.
Биполярные транзисторы
Типы биполярных транзисторов и их диодные схемы замещения. Кремниевые и германиевые транзисторы. Физические явления в транзисторах. Схемы включения и статические параметры. Влияние температуры на статистические характеристики, динамические параметры.
Интегрированные устройства радиоэлектроники
Описание процесса термического окисления, цели его проведения и применяемое оборудование. Краткая характеристика и общее строение интегральной микросхемы. Последовательность формирования изолированных областей в изопланарной структуре транзистора.
Устройство и применение высокочастотного выпрямителя
Устройство и назначение выпрямителей электрического тока, их классификация по ряду признаков, назначение и применение. Обзор характеристик устройства, сфера использования высокочастотных выпрямителей. Пример управления высокочастотным выпрямителем.
Чиланзар
План Введение 1 Происхождение названия «Чиланзар» 2 Микрорайоны Чиланзара Список литературы Введение Чиланза́р (Чилонзор) — юго-западная часть современного Ташкента[1], застроенная многоэтажными домами, с которых началась эпоха массовой застройки[2] Ташкента, в том числе и панельными домами[3].
Электромагнитные поля
Электромагнитные поля применяются для очистки полупроводниковых материалов, выращивания полупроводниковых кристаллов и пленок, локализации газов, прессовании синтетических материалов.