ФОТОРЕЗИСТОР
(от фото... и резистор),
представляет
собой непроволочный
полупроводниковый
резистор , омическое
сопротивление
которого определяется
степенью освещенности
. В основе принципа
действия
фоторезисторов
лежит явление
фотопроводимости
полупроводников.
Фотопроводимость-
увеличение
электрической
проводимости
полупроводника
под действием
света. Причина
фотопроводимости
— увеличение
концентрации
носителей
заряда — электронов
в зоне проводимости
и дырок в валентной
зоне. Светочувствительный
слой полупроводникового
материала в
таких сопротивлениях
помещен между
двумя токопроводящими
электродами.
Под воздействием
светового
потока электрическое
сопротивление
слоя меняется
в несколько
раз ( у некоторых
типов фотосопротивлений
оно уменьшается
на два- три порядка
). В зависимости
от применяемого
слоя полупроводникового
материала
фотосопротивления
подразделяются
на сернистосвинцовые,
сернистокадмиевые,
сернисто-висмутовые
и поликристаллические
селено- кадмиевые.
Фотосопротивления
обладают высокой
чувствительностью
, стабильностью
, экономичны
и надежны в
эксплуатации.
В целом ряде
случаев они
с успехом заменяют
вакуумные и
газонаполненные
фотоэлементы.
Основные
характеристики
фотосопротивлений.
Рабочая
площадь.
Темновое
сопротивление
(сопротивление
в полной темноте),
варьирует в
обычных приборах
от 1000 до 100000000 ом.
Удельная
чувствительность
где:
-фототок,
равный разности
токов в темноте
и на свету;
Ф
-
световой поток;
U
- приложенное
напряжение.
Предельное
рабочее напряжение
( как правило
от 1 до 1000 в ).
Среднее
относительное
изменение
сопротивления,
% -
обычно
лежит в пределах
10 - 99,9 %,
,
где :
-сопротивление
в темноте;
-сопротивление
в освещенном
состоянии.
6.
Средняя кратность
изменения
сопротивления
( как правило
от 1 до 1000 ). Определяется
соотношением
:
Применение:
устройства
воспроизведения
звука, системы
слежения, различные
устройства
автоматики.
Схема
включения
фоторезисторов:
При
определенном
освещении
сопротивление
фотоэлемента
уменьшается,
а, следовательно,
сила тока в
цепи возрастает,
достигая значения,
достаточного
для работы
какого- либо
устройства
( схематично
показано в виде
некоторого
сопротивления
нагрузки ).
С
П И С О К Л И Т Е
Р А Т У Р Ы
Белов
И. Ф., Дрызго Е.
В. Справочник
по радиодеталям.
М., « Советское
радио», 1973.
2.
Шифман Д. Х. Системы
автоматического
управления.
М., «Энергия»,
1965.
4
Другие работы по теме:
Внутренний фотоэффект
Общая характеристика внутреннего фотоэффекта, его особенности, история открытия и изучения. Использование данного эффекта для измерения фотоэлектрических преобразователей, датчиков положения, двухкоординатного измерения положения и датчиков шероховатости.
Билеты по физике развернутый план
БИЛЕТ N 1 I. Относительность механического движения. Система отчета. Сложение скоростей в классической и релятивисткой механике. 1. Определение механического движения.
О тепловизорах
Тепловизоры - устройства, предназначенные для наблюдения объектов по их собственному инфракрасному излучению: назначение, обзор развития, классификация (с оптико-механическим и электрическим сканированием), значение в настоящее время и спектр применения.
Фотоэффект
Понятие фотоэффекта, его сущность и особенности, история открытия и изучения, современные знания. Законы Столетова, их значение в раскрытии свойств данного явления. Объяснение законов фотоэффекта с помощью квантовой теории света, уравнения Эйнштейна.
Шкала электромагнитных волн.
Название диапазона Длина волны (м) Частота (Гц) Источник Индикатор Основные свойства Применение Действие на человека 1. Радиоволны 3Ч10 Переменные токи в проводниках и электронных потоках, генератор радиочастот (Солнце, звёзды, галактики, метагалактики)
Компенсационный метод измерения
Компенсационный метод (метод противопоставления) измерения заключается в уравновешивании, осуществляемом включением на индикатор равновесия либо двух электрически
Резисторы: назначение, классификация и параметры
Характеристика сущности резисторов, которые предназначены для перераспределения и регулирования электрической энергии между элементами схемы. Классификация, конструкции и параметры резисторов, характеризующие их эксплуатационные возможности применения.
Тактильные датчики
Появление тактильных датчиков, предназначенных для геометрического распознавания предметов окружающего пространства, обусловлено развитием робототехники. Основная тенденция в области создания тактильных датчиков – воспроизведение осязательных свойств человеческой кожи. Этой тенденции в наибольшей степени удовлетворяют тактильные устройства матричного типа, так как каждая ячейка матрицы, представляющая собой микроэлектронный датчик силы (или деформации, момента), дает конкретную информацию, а все вместе позволяют сформировать целостное представление о форме предмета.
Матричные фотоприемники
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РЕСПУБЛИКИ МОЛДОВА Технический Университет Молдовы Факультет Радиоэлектроники Кафедра Телекоммуникаци Курсовая работа
Фотоэлементы
При освещении полупроводника, в нем происходит генерация электронно-дырочных пар за счет переброса электронов из валентной зоны в зону проводимости. Вследствие этого проводимость полупроводника возрастает.
Элементы оптоэлектронных устройств
Министерство образования Республики Беларусь Учреждение образования “Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники”
Резисторы
Классификация резисторов. Резистором называется пассивный элемент РЭА, предназначенный для создания в электрической цепи требуемой величины сопротивления, обеспечивающей перераспределение и регулирование электрической энергии между элементами схемы.
Основы оптоэлектроники. Классификация оптоэлектронных устройств
Ознакомление с оптоэлектронными приборами - устройствами, в которых при обработке информации происходит преобразование электрических сигналов в оптические и обратно. Оптрон - основной элемент оптоэлектроники. Принцип действия инжекционного светодиода.
Приймачі випромінювання
Перетворення енергії оптичного випромінювання в енергію будь-якого іншого вигляду (електричну, теплову) за допомогою приймачів: теплових та фотоелектричних. Схеми та режими роботи матеріалів фотодіодів інверсійного приймача: світлочутливість елементів.
Полупроводниковые резисторы
Группы полупроводниковых резисторов. Варисторы, нелинейность вольт. Толщина поверхностных потенциальных барьеров. Основные параметры варисторов и терморезисторов. Тензорезисторы и их деформационная характеристика. Измерение давлений и деформаций.
Резисторы постоянные проволочные
Резистор - элемент электронного устройства. Их классификация, типы, виды электрических соединений, зарубежные аналоги. Параметры и характеристики конструкции и материалы резисторов. Система условных обозначений и буквенно-цифровая маркировка детали.
Технология производства резистора
Изучение понятия, классификации и способов производства резисторов. Принципы строения, материалы изготовления и преимущества металлопленочных, металлоокисных и проволочных (постоянного и переменного сопротивлений) пассивных элементов электрической цепи.
Разработка тепловизионного канала СП-1 АСДМ "Лидар"
Принципы построения тепловизионных систем мониторинга КС, основные задачи систем такого рода. Анализ состояния современного уровня техники. Требования к тепловизионной системе СП-1. Разработка оптико-электронной схемы канала на основе выбранной камеры.
Проектирование и испытание фототранзистора
Физическая и техническая основы оптоэлектроники, ее функциональное назначение. Принцип устройства плоскостного транзистора. Работа полупроводниковых приемников с использованием фотоэффекта. Параметры фототранзисторов, их виды, конструкции, параметры.