ВПУ-313.
Предмет: Проектирование РЭА.
Группа: РА-6.
КУРСОВОЙ ПРОЕКТ.
На тему: Расчет и проектирование в тонкопленочном
исполнении схемы усилителя мощности.
Учащегося: Короткова Е. В.
Преподаватель:
Даниелян В.С.
Дата выдачи задания:
Дата окончания проектирования:
Москва 1997г.
Схема усилителя мощности.
Эта схема представляет собой усилитель мощности на биполярном транзисторе, включенном по схеме с ОЭ. Переходной конденсатор C1 пропускает во входную цепь переменную составляющую напряжения источника сигнала и не пропускает постоянную составляющую. Блокирующий конденсатор C2 шунтирует резистор R4 по переменному току, исключая тем самым отрицательную обратную связь по переменным составляющим. Отсутствие конденсатора C2 привело бы к уменьшению усиления каскада. В области низших частот на работу усилителя оказывают влияние переходной и блокирующий конденсаторы, в области высших частот – частотная зависимость коэффициента тока базы, коллекторная емкость и емкость нагрузки.
Описание элементов.
Резисторы:
R1 = 2200 Ом
R2 = 480 Ом
R3 = 4500 Ом
R4 = 120 Ом
h = 100 мкм
bтехн = 100 мкм
|
Dl = 100 мкм
Db = 100 мкм
DR1 = 10%
DR2 = 0,9%
DR3 = 7,2%
DR4 = 0,9%
|
Drs = 0,4%
rsопт = 300 Ом /
P1 = 50 мВт
P2 = 25 мВт
P3 = 7 мВт
P4 = 25 мВт
|
Конденсаторы:
С1 = 80 пф
С2 = 2200 пф
Uраб = 10 в
Со = 20 пф/мм*мм
|
e = 5,2
tgr = 0,002
Кз = 3
|
Tmax = 60 °C
Dc = 3%
Dl = 25 мкм
|
Выбор метода изготовления тонкопленочной ГИМС.
Исходя из данных видно, что погрешность изготовления резисторов и конденсаторов не более 10%. Для изготовления схемы усилителя мощности выбираем метод фотолитографии, т. к. этот метод дает более высокую точность изготовления ГИМС и более высокий процент выхода годных изделий при серийном и крупносерийном производстве.
Расчет конденсаторов.
1. Выбор материала диэлектрика.
Выбор материала диэлектрика производят по таблице 3, исходя из
исходных данных.
Для C1 – электровакуумное стекло C 41 - 1.
Для C2 – электровакуумное стекло C 41 - 1.
Материалом обкладок для этих конденсаторов будет Al.
2. Определение уточненной толщины диэлектрика.
d=0,0885*e/Co
d=0,02301 мм
3. Определение площади перекрытия обкладок конденсаторов.
S=C/Co*Кз
SС1=20 мм*мм
SС2=550 мм*мм
4. Определение размеров обкладок конденсаторов.
Размеры верхних обкладок конденсаторов будут равны:
__
lв.о.= bв.о.=ÖS
lв.о.С1= bв.о.С1=4,472 мм
lв.о.С2= bв.о.С2=23,452 мм
Размеры нижних обкладок конденсаторов, с учетом допусков на
перекрытие, будут равны:
lн.о.=bн.о.= lв.о.+2(Dl+g)
lн.о.С1=bн.о.С1=4,922 мм
lн.о.С2=bн.о.С2=23,902 мм
5. Определение размеров межслойного диэлектрика.
lд/э= bд/э =lн.о.+ 2(Dl+f)
lд/э С1=bд/э С1=5,372 мм
lд/э С2=bд/э С2=24,352 мм
6. Определение площади, занимаемой конденсаторами, по размерам диэлектрика.
S = lд/э* bд/э
SС1= 28,858 мм*мм
SС2 = 593.0199 мм*мм
Расчет резисторов.
1. Выбор материала резистивной пленки.
Для R1 -нихром X20H80.
Для R2 -нихром X20H80.
Для R3 -нихром X20H80.
Для R2 - нихром X20H80.
Проверим, правильно ли выбран материал резистивного слоя.
Dф= DR/R*100 - Drs/rs*100;
Dф1 = 0,3212
Dф2 = 0,0542
Dф3 = 0,0267
Dф4 = 0,6167
Резистивный материал выбран верно т.к. Dф1; D ф 2; D ф 3; D ф 4 > 0
Вкачестве материала контактных площадок используем Cu.
2. Определение коэффициента формы резисторов.
Коэффициент формы определяется по формуле: Kф=;
Кф1 = 7,3
Кф2 = 1,6
Кф3 = 15
Кф4 = 0,4
3. Определение конструкции резисторов по величине коэффициента формы.
Для R1 - Форма прямоугольная, т.к. 1 £ Кф£ 10
Для R2 - Форма прямоугольная, т.к. 1 £ Кф£ 10
Для R3 - Форма составной меандр, т.к. 10 £ Кф £ 50
Для R4 - Форма прямоугольная, т.к. Кф < 1, но получается, что
ширина > длины
4. Определение ширины резисторов.
Рассчёт точной ширины резисторов производится по формуле:
bточн=(Dl/Кф+Db)/Dф;
Рассчёт ширины резисторов с учетом их мощности:
bр=;
Для R1 - bр = 0,58 мм
Для R2 - bр = 0,88 мм
Для R3 - bр = 0,15 мм
Для R4 - bр = 1,76 мм
Для R1 - bточн = 0,8849 мм
Для R2 - bточн = 4,9 мм
Для R3 - bточн = 9,9875 мм
Для R4 - bточн = 1,4188 мм
Выбираем из всех значений ширины сопротивления максимальное
значение:
R1 max [ bтехн=0.1мм bточн=0,88 мм bp=0,58 мм] b1=0,88 мм
R2 max [ bтехн=0.1мм bточн=4,9 мм bp=0,88 мм] b2=4,9 мм
R3 max [ bтехн=0.1мм bточн=9,98 мм bp=0,15 мм] b3=9,98 мм
R4 max [ bтехн=0.1мм bточн=1,41 мм bp=1,76 мм] b4=1,76 мм
5. Расчет длины резисторов.
Расчетная длина резистора определяется как:Lрасч = b*Kф;
Полная длина резистора определяется как: Lполн = Lрасч +2h;
Lрасч R1 = 6,424 мм
Lрасч R2 = 7,84 мм
Lрасч R3 = 149,7 мм
Lрасч R4 = 0,704 мм
LполнR1 = 6,624 мм
LполнR2 = 8,04 мм
LполнR3 = 149,9 мм
LполнR4 = 0,904 мм
6. Расчет площади резисторов.
S = Lполн * b
SR1 = 5,829 мм*мм
SR2 = 39,396 мм*мм
SR3 = 1496 мм*мм
SR4 = 1,59 мм*мм
Все полученные значения резисторов приведены в таблице:
Резистор |
Номинал
|
Материал
Резистора
|
Размеры
b, мм
|
Размеры
l, мм
|
Размеры
S, мм*мм
|
Коэф.
формы
|
R1 |
2,2 кОм
|
X20H80
|
0,88
|
6,624
|
5,83
|
7,3
|
R2
|
480 Ом
|
X20H80
|
4,9
|
8,04
|
39,39
|
1,6
|
R3
|
4,5 кОм
|
X20H80
|
9,98
|
149,9
|
1496
|
15
|
R4 |
120 Ом
|
X20H80
|
1,76
|
0,904
|
1,59
|
0,4
|
Расчет площади поверхности.
1. Площадь подложки расчитывается по формуле:
Sподл.= KS;
SåR = R1+R2+R3+R4
SåR = 1542,81 мм*мм
SåC = C1+C2
SåC = 621,87 мм*мм
SåКП = 48 мм*мм
SåН.Э.= 120 мм*мм
При KS = 2 получается:
Sподл.= 2332,68 мм*мм
Sфакт.подл.= 45 * 52 = 2340 мм*мм
Другие работы по теме:
Проектирование осушительной системы
Название :Курсовая работа по гидромелиорации "Проектирование осушительной системы ." Автор Осокин Евгений osokin_e@chat Тип рабооты: курсовой проект
Проектирование усилителя мощности на основе ОУ
Задание на курсовое проектирование по курсу «Основы электроники и схемотехники» Студент: Данченков А.В. группа ИИ-1-95. Тема: «Проектирование усилительных устройств на базе интегральных операционных усилителей»
Расчет усилителя низкой частоты
Реферат Курсовая работа оформлена на 35 страницах машинописного текста, содержит 18 рисунков, 16 источников использованной литературы и 5 приложений.
Расчет импульсного усилителя
МИНИСТЕРСТВО ОБЩЕГО И ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОНИКИ И МАТЕМАТИКИ (ТЕХН. УНИВЕРСИТЕТ)
Расчет усилителя на транзисторе
Министерство образования РФ Уральский Государственный Технический Университет Кафедра Автоматика и управление в технических системах РАСЧЕТ ПРЕДВАРИТЕЛЬНОГО УСИЛИТЕЛЯ
Расчет усилителя на биполярном транзисторе
Расчетно-графическая работа по курсу электроники. Расчет однокаскадного усилителя. Вариант №25. Задание: Требуется рассчитать однокаскадный усилитель на биполярном транзисторе, схема которого приведена ниже. В этой схеме тип транзистора определяется полярностью заданного напряжения.
Многокаскадные усилители
ВВЕДЕНИЕ В большинстве случаев одиночные каскады не обеспечивают необходимое усиление и заданные параметры усилителей. Поэтому усилители, которые применяют в аппаратуре связи и измерительной технике, многокаскадные. При анализе и расчете многокаскадного усилителя необходимо определить общий коэффициент усиления усилителя, искажения, вносимые им, распределять их по каскадам, определить требование к источникам, решить вопросы введения обратных связей и т.д.
Низкочастотный усилитель напряжения
Расчет элементов усилителя напряжения низкой частоты по заданным параметрам. Расчет усилительного каскада на транзисторе структуры p-n-p, включенного по схеме с ОЭ по постоянному току (1-ый и 2-ой каскад). Методика определения емкостей элементов.
Электроника
Проектирование транзисторных усилителей. Формы применения местных и общих отрицательных обратных связей при улучшении параметров усилителя. Анализ ёмкости переходных и блокировочных конденсаторов. Сущность входного сопротивления предварительного каскада.
Расчет оконечного каскада передатчика
Параметры расчета предварительного и оконечного каскадов передатчика на биполярных транзисторах. Расчёт оконечного каскада. Параметры транзистора 2Т903А. Результат расчёта входной цепи. Результаты расчёта коллекторной цепи. Расчёт предоконечного каскада.
Расчет усилителя на биполярном транзисторе
Расчетно-графическая работа по курсу электроники. Расчет однокаскадного усилителя. Вариант №25. Задание: Требуется рассчитать однокаскадный усилитель на биполярном транзисторе, схема которого приведена ниже. В этой схеме тип транзистора определяется полярностью заданного напряжения.
Усилители
Практическое занятие №12 Изучение методов измерения основных параметров операционных усилителей Характеристики операционного усилителя. Цели:
Усилитель мощности
Разработка усилителя мощности, с использованием операционных усилителей, класс работ АБ (вид и спад амплитудно-частотных характеристик не имеет значения) с заданными параметрами выходной мощности, тока нагрузки, входного напряжения, диапазона частот.
Транзисторный безтрансформаторный каскад усилителя
Широкое применение безтрансформаторных усилителей мощности. Выполнение современных усилителей небольшой мощности по безтрансформаторным схемам для уменьшения габаритов, массы, стоимости и расширения полосы пропускания устройства. Выбор типа транзистора.
Расчет широкополосного усилителя мощности
Расчет входного каскада широкополосного усилителя. Расчет нижней и верхней граничной частоты. Распределение частотных искажений. Схема регулировки усиления. Расчет параметров обратной связи. Топология элементов широкополосного усилителя мощности.
Расчет трансформаторного усилителя
Методика расчета двухкаскадного трансформаторного усилителя мощности, выполненного на кремниевых транзисторах структуры p-n-p, и его КПД. Особенности составления эквивалентной схемы усилителя для области средних частот с учетом структуры транзисторов.
Преобразование сигналов и помех радиотехническими цепями
Отклик на выходе резонансного усилителя и детектора радиотехнического звена при воздействии радиоимпульса. Спектральная плотность радиоимпульса на входе и выходе резонансного усилителя. Плотность мощности и корреляционная функция шума усилителя.
Расчёт резисторного усилителя напряжения с RC-связью
Составление эквивалентной схемы усилителя для области средних частот, расчет его параметров. Определение сопротивления резистора, мощности, рассеиваемой им для выбора транзистора. Вычисление полного тока, потребляемого усилителем и к.п.д. усилителя.
Расчет усилителя низкой частоты
Определение параметров работы двухкаскадного усилителя тока с непосредственной связью, выполненного на германиевых (Ge) транзисторах структуры n-p-n по заданным показателям. Основные расчеты показателей преобразования напряжения, коэффициентов усиления.
Расчет резисторного усилителя тока с непосредственной связью
Расчет параметров усилителя, на вход которого подается напряжение сигнала с заданной амплитудой от источника с известным внутренним сопротивлением. Определение КПД усилителя с общей параллельной отрицательной обратной связью по току и полного тока.
Проектирование и расчет усилителя электронного модуля
Реферат В данном курсовом проекте производится проектирование усилителя низкой частоты, состоящего из двух каскадов и RC-цепочки связи. Входной каскад представляет собой инвертирующий усилитель на ОУ, выходной – двухтактный бестрансформаторный усилительный каскад.
Усилитель с обратной связью
Проектирование многокаскадного усилителя переменного тока с отрицательной обратной связью. Расчет статических и динамических параметров электронного устройства, его схематическое моделирование на ЭВМ с использованием программного продукта Microcap 3.
Селективный усилитель
Разработка селективного усилителя, обладающего заданными параметрами. Функциональная схема селективного усилителя. Расчёт элементов предварительного усилителя, полосовых фильтров, сумматора. Область применения селективных усилителей, полоса прозрачности.
Проектирование и расчет усилителя низкой частоты
Понятие и назначение усилителя низкой частоты. Разработка и расчет принципиальной схемы. Проектирование усилителя низкой частоты, состоящего из двух каскадов и RC-цепочки связи. Анализ работы схемы при помощи программы Electronics Workbench Version 5.12.
Импульсный усилитель
Предварительный расчет усилителя. Выбор транзистора. Расчет схемы термостабилизации. Расчёт параметров схемы Джиаколетто.