Реферат: Фізика напівпровідників 2 - Refy.ru - Сайт рефератов, докладов, сочинений, дипломных и курсовых работ

Фізика напівпровідників 2

Рефераты по физике » Фізика напівпровідників 2

МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ ТА НАУКИ УКРАЇНИ

ЗАПОРІЗЬКА ДЕРЖАВНА ІНЖЕНЕРНА АКАДЕМІЯ


Кафедра


Контрольна робота з курсу:

ФІЗИКА НАПІВПРОВІДНИКІВ


Запоріжжя

2009


Дано:

Напівпровідник – Si



Домішка – бор

Концентрація домішки - 7 10 м-3

Рівень домішки еВ

А = 0.2 см

В = 0.7 см

С = 0.1 см

сек

сек

Рішення

Оцінити ймовірність знайти електрон на рівні Е у власному напівпровіднику при кімнатній температурі та при


Визначити положення рівня Фермі у власному напівпровіднику відносно середини забороненої зони при кімнатній температурі. При виконанні враховувати температурну залежність ширини забороненої зони.



Розрахувати температурну залежність власної концентрації носіїв заряду у вихідному напівпровіднику в діапазоні температур (10К до 400К). При виконанні врахувати температурну залежність ширини забороненої зони. Побудувати графік температурної залежності власної концентрації від температури.


7


Всі данні занесені у таблицю.


Власний напівпровідник леговано домішкою. Розрахувати температурне поводження рівня Фермі в області домішкової провідності у діапазоні температур (10К – 900К) з кроком 10К. побудувати графік температурної залежності рівня Фермі і за графіком визначити температуру виснаження домішки і температуру власної провідності .



Всі данні внесені в таблицю.

Рівень Фермі при Т=0К



При низьких температурах (коли виконується умова )

температурна поведінка рівня Фермі в області домішкової провідності за формулою



Умова виконується до 220К.



При високих температурах (коли виконується умова )

температурна поведінка рівня Фермі в області домішкової провідності за формулою



Згідно з графіком 2 температура насичення

Легований домішкою напівпровідниковий зразок має геометричні розміри: А, В, С. Знайти його електричний опір при кімнатній температурі.

А = 0.2 см, В = 0.7 см, С = 0.1 см.



Розрахувати довжину хвилі випромінювання , необхідного для створення електронно-діркових пар у власному напівпровіднику при кімнатній температурі.



Знайти час життя носіїв заряду, якщо в момент часу після вимкнення випромінювання концентрація носіїв заряду була у N разів більша, ніж у момент часу .



Висновок


Ймовірність знайти електрон на рівні Е у власному напівпровіднику при кімнатній температурі дорівнює , при Т=300К дорівнює 1.

Положення рівня Фермі при кімнатній температурі еВ.

Побудували графік залежності власної концентрації від температури.

Побудували графік температурної залежності рівня Фермі.

Електричний опір легованого напівпровідника при кімнатній температурі 0.0348 Ом.

Довжина хвилі випромінювання, необхідного для створення електронно-діркових пар у власному напівпровіднику при кімнатній температурі .

Час життя носіїв заряду с.



T, K Eg n i Nv F

10 1,181 7,63E+148 1,17E-21 1,119

20 1,177 8,05E+73 4,83E-21 1,039

30 1,174 1,07E+49 8,87E-21 0,96

40 1,172 4,40E+36 1,37E-20 0,873

50 1,17 1,76E+29 1,19E-20 0,792

60 1,167 2,17E+24 2,51E-20 0,724

70 1,165 7,00E+20 3,16E-20 0,646

80 1,162 1,73E+18 3,86E-20 0,568

90 1,16 1,66E+16 4,61E-20 0,49

100 1,158 4,09E+14 5,40E-20 0,412

110 1,155 2,01E+13 6,23E-20 0,334

120 1,153 1,65E+12 7,10E-20 0,257

130 1,15 2,00E+11 8,00E-20 0,18

140 1,148 3,32E+10 8,95E-20 0,101

150 1,146 7,04E+09 9,92E-20 0,024

160 1,143 1,82E+09 1,09E-19 -0,053

170 1,141 5,57E+08 1,20E-19 -0,13

180 1,138 1,95E+08 1,30E-19 -0,171

190 1,136 7,66E+07 1,41E-19 -0,284

200 1,134 3,32E+07 1,53E-19 -0,36

210 1,131 1,56E+07 1,64E-19 -0,437
Ts 220 1,129 7,89E+06 1,76E-19 -0,51

230 1,126 4,25E+06 1,88E-19 -1,71

240 1,124 2,41E+06 2,01E-19 -1,788

250 1,122 1,44E+06 2,13E-19 -1,864

260 1,119 8,93E+05 2,26E-19 -1,942

270 1,117 5,76E+05 2,40E-19 -2,019

280 1,114 3,84E+05 2,53E-19 -2,096

290 1,112 2,64E+05 2,67E-19 -2,173

300 1,11 1,86E+05 2,81E-19 -2,25

310 1,107 1,35E+05 2,95E-19 -2,327

320 1,105 9,96E+04 3,09E-19 -2,404

330 1,102 7,51E+04 3,24E-19 -2,48

340 1,1 5,76E+04 3,39E-19 -2,557

350 1,098 4,49E+04 3,54E-19 -2,634

360 1,095 3,56E+04 3,69E-19 -2,71

370 1,093 2,86E+04 3,84E-19 -2,787

380 1,09 2,32E+04 4,00E-19 -2,864

390 1,088 1,91E+04 4,16E-19 -2,94

400 1,086 1,59E+04 4,32E-19 -3,017

410 1,083 1,33E+04 4,48E-19 -3,093

420 1,081 1,13E+04 4,65E-19 -3,17

T, K Eg n i Nv F

430 1,078 9,66E+03 4,82E-19 -3,246

440 1,076 8,32E+03 4,98E-19 -3,323

450 1,074 7,22E+03 5,15E-19 -3,4

460 1,071 6,31E+03 5,33E-19 -3,475

470 1,069 5,55E+03 5,50E-19 -3,552

480 1,066 4,91E+03 5,68E-19 -3,628

490 1,064 4,37E+03 5,86E-19 -3,705

500 1,062 3,91E+03 6,04E-19 -3,781

510 1,059 3,51E+03 6,22E-19 -3,857

520 1,057 3,17E+03 6,40E-19 -3,933

530 1,054 2,88E+03 6,59E-19 -4

540 1,052 2,62E+03 6,78E-19 -4,085

550 1,05 2,40E+03 6,97E-19 -4,162

560 1,047 2,20E+03 7,16E-19 -4,238

570 1,045 2,03E+03 7,35E-19 -4,314

580 1,042 1,87E+03 7,54E-19 -4,39

590 1,04 1,74E+03 7,74E-19 -4,466

600 1,038 1,61E+03 7,94E-19 -4,542

610 1,035 1,50E+03 8,14E-19 -4,618

620 1,033 1,41E+03 8,34E-19 -4,694

630 1,03 1,32E+03 8,54E-19 -4,77

640 1,028 1,24E+03 8,74E-19 -4,846

650 1,026 1,17E+03 8,95E-19 -4,922

660 1,023 1,10E+03 9,16E-19 -4,998

670 1,021 1,04E+03 9,36E-19 -5,073

680 1,018 9,83E+02 9,58E-19 -5,15

690 1,016 9,35E+02 9,79E-19 -5,225

700 1,014 8,89E+02 1,00E-18 -5,301

710 1,011 8,47E+02 1,02E-18 -5,377

720 1,009 8,08E+02 1,04E-18 -5,453

730 1,006 7,73E+02 1,07E-18 -5,528

740 1,004 7,39E+02 1,09E-18 -5,604

750 1,002 7,09E+02 1,11E-18 -5,68

760 0,999 6,80E+02 1,13E-18 -5,756

770 0,997 6,54E+02 1,15E-18 -5,831

780 0,994 6,29E+02 1,18E-18 -5,907

790 0,992 6,06E+02 1,20E-18 -5,983

800 0,99 5,84E+02 1,22E-18 -6,058

810 0,987 5,64E+02 1,24E-18 -6,134

820 0,985 5,46E+02 1,27E-18 -6,21

830 0,982 5,28E+02 1,29E-18 -6,285

840 0,98 5,11E+02 1,31E-18 -6,361

T, K Eg n i Nv F

850 0,978 4,96E+02 1,34E-18 -6,436

860 0,975 4,81E+02 1,36E-18 -6,512

870 0,973 4,67E+02 1,39E-18 -6,587

880 0,97 4,54E+02 1,41E-18 -6,663

890 0,968 4,42E+02 1,43E-18 -6,739

900 0,966 4,30E+02 1,46E-18 -6,814

Рисунок 1 - Температурна залежність власної концентрації носіїв заряду


Рисунок 2 - Температурна залежність рівня Фермі