Лекція 30 .
Ці транзистори є видозміненими звичайними транзисторами. Розглянемо характеристики та фізику роботи звичайного транзистора.
- транзистор перестає працювати. - характеристична частота, зараз досягли 110 ГГц і навіть 250 ГГц. Серійно випуск до 40 ГГц.
Визначимо швидкодію: , для біполярних - час на подолання шляху між емітером та колектором, для полярних – між витоком і стоком. “” виникає у формулах тому, що в формулах використовується , тому , .
Напругу збільшити ми не можемо, щоб не пробити. Параметри, які можна змінити для зменшення :
Зменшуємо розмір бази, зменшити область між витоком і стоком. Серійно випускають транзистори з .
Використовують матеріали з високою рухливістю, щоб збільшити швидкість. Використовують - транзистори. Іноді використовують транзистори з гетеропереходами, де теж досягається дуже висока рухливість (НЕМТ – транзистори).
Розглянемо конкретні схеми:
Польовий транзистор. Чим більше “-“ на затворі, тим менша провідність транзистора завдяки області “+” – заряду на підкладці.
Важливо, щоб транзистор був геометрично включений прямо в лінію. В мікроелектроніці немає можливості створити транзистори, що будуть “стирчати” зовні.
Існує й інший, більш високочастотний варіант підключення:
Польові транзистори на гетеропереходах. Оскільки різниця між рівнями не змінюється, бо це атомні рівні, то маємо розриви на переході: електрони накопичуються в ямі А.
Оскільки справа є домішки, а зліва, де накопичились електрони, домішок, на яких може осісти електрон, немає, то електрони більш вільно рухаються, тобто їх рухливість зростає.
Структура:
Біполярні транзистори. На НВЧ ці транзистори гірше. База – дуже мала за розмірами. Це необхідно для збільшення частоти, але при цьому виникають зворотні струми.
Не тільки електрони йдуть у базу , але й дірки йдуть у емітер . Це створює шуми. Максимальний коефіцієнт підсилення . Звідси видно, що для кращого необхідно мінімальний потік дірок в емітер. При малих шарах коефіцієнт підсилення менший. Проблеми розв’язують за допомогою гетеропереходу (див. Мал. нижче): в такому випадку завада для дірок більша, ніж для електронів.
Другие работы по теме:
Біполярні транзистори
Історія створення напівпровідникового тріоду, або транзистора, загальні відомості та його значення для розвитку напівпровідникової електроніки. Розгляд схем включення та принципів дії транзисторів. Вплив температури на роботу біполярного транзистора.
Обґрунтування й вибір функціональної схеми пристрою
Обґрунтування й вибір функціональної схеми генератора коливань. Вибір і розрахунок принципових схем його вузлів. Моделювання роботи функціональних вузлів електронного пристрою на ЕОМ. Відповідність характеристик і параметрів пристрою технічним вимогам.
Виготовлення біполярного транзистора
Характеристика біполярного транзистора - напівпровідникового елементу електронних схем, з трьома електродами, один з яких служить для керування струмом між двома іншими. Особливості принципу роботи, технології виготовлення на прикладі транзистора-КТ3107.
Германієвий дрейфовий транзистор
Міністерство освіти і науки України Вінницький національний технічний університет Інститут автоматики, електроніки та комп’ютерних систем управління
Система запалювання автомобіля ВАЗ 2101
Вступ Темпи росту випуску автомобілів і підвищення інтенсивності руху на автострадах і в містах ставлять перед автомобілебудівниками нові складні завдання. Це, насамперед , боротьба за безпеку руху, зменшення забруднення повітря газами, що відробили, підвищення паливної економічності, ходових якостей автомобіля і його надійності, продовження терміну служби, зниження стомлюваності водія при керуванні автомобілем.
Схемотехніка транзисторних ключів
(ТК) Ключовий режим роботи НЕ характеризується тільки двома його станами: " включено " і " виключено ". Електричні схеми ,в яких використовується ключовий режим НЕ, називаються ключами. В ключах, в якості НЕ можуть використовуватися діоди, біполярні та польові транзистори, лампи з різними схемами включення їх електродів.
Розробка транзисторного підсилювача проміжної частоти радіолокаційного сигналу
РОЗРОБКА ТРАНЗИСТОРНОГО ППЧ РЛС 1. Аналіз елементної бази та вибір елементів принципової схеми Підсилювач проміжної частоти виконує головне підсилення та вибірність. Резонансні підсилювачі працюють на фіксованих частотах та забезпечують підсилення сигналів до рівня, необхідного для ефективної роботи детектора, а також виконують головну частотну вибірність по відношенню до корисних сигналів.
Поняття про мікроелектроніку
Мікроелектроніка як новий напрям електроніки, її основне питання. Планарна технологія виготовлення транзисторів, послідовність технологічних операцій. Інтегральна мікросхема (ІМС) як цілісний завершений радіоелектронний пристрій, плівкова технологія.
Підсилювач підмодулятора радіомовного передавача
Методи розробки структурної схеми пристрою. Вибір схеми підсилювача потужності та типу транзисторів. Розрахунок співвідношення сигнал-шум та частотних спотворень каскадів. Розробка блоку живлення та структурної схеми пристрою на інтегральних мікросхемах.
Підсилювач вертикального відхилення осцилографа
Розробка підсилювача вертикального відхилення осцилографа – приладу, призначеного для підсилення слабких сигналів, що надходять з осцилографа. Загальна структура вимірювального перетворювача, розрахунки для підсилювача напруги і для кінцевого каскаду.
Перетворювач напруга-тривалість імпульсу
Проектування та реалізація перетворювача напруги в імпульси. Розрахунок та визначення технічних параметрів перетворювача напруга-тривалість. Розробка та обґрунтування структурної схеми приладу. Методика проведення і призначення електричних розрахунків.
Розрахунок транзисторного резонансного підсилювача потужності
Призначення, характеристики, основні вимоги до проектування та вибір режиму роботи резонансного підсилювача потужності. Вибір транзистора та схеми підсилювача, вольт-амперні характеристики транзистора. Схема резонансного підсилювача та його розрахунок.
Оптичні приймальні пристрої
Функції оптичного приймального пристрою - світлова демодуляція, або перетворення зорових імпульсів в електричні сигнали з їх подальшим підсиленням та обробкою. Визначення квантової межі чутливості. Розрахунок шумів попередніх каскадів підсилювачів.
Транзисторний перетворювач з дроселем в первинному ланцюзі
Транзисторний перетворювач із дроселем у первинному ланцюзі на основі найпростішої схеми, із системою керування. Розробка основної структурної схеми, принципової схеми, силової частини, системи керування, силової частини і вузлів системи керування.
Силові IGBT і MOSFET транзистори
Особливості застосування силових транзисторів IGBT і MOSFET, які стали основними елементами, вживаними в могутніх імпульсних перетворювачах. Технічні характеристики драйверів для захисту від перевантажень: драйвер трьохфазного моста та нижнього плеча.
Проектування перетворювача струму в напругу
Основні фундаментальні закономірності, зв’язані з отриманням сигналу. Розробка технічного завдання, структурної схеми. Аналіз існуючих методів вимірювання струму. Попередній розрахунок первинного перетворювача, підсилювача потужності та напруги.
Діагностування електронних приладів релаксаційного типу
Конструкція і технічні характеристики електронних реле покажчиків поворотів. Визначення переліку пошкоджень і несправних станів передавача: відхилення часових параметрів вихідного сигналу, постійне горіння сигнальних ламп в режимах маневрування.
Аналогові електронні пристрої
Зміст Графоаналітичний розрахунок робочого режиму 2 Розрахунок параметрів транзистора 5 Розрахунок кіл зміщення каскаду 6 Вибір схеми підсилювача 8
Генератор трикутних напруг
Ефективність електронної апаратури, процеси перетворення енергії в приладах електроніки та застосування інтегральних мікросхем. Розрахунок та визначення технічних параметрів схеми генератора трикутних напруг, сфера його застосування та принцип роботи.
Аперіодичний підсилювач безперервних коливань
Особливості підстлювачів з загальною базою, загальним колектором. Порівняльний аналіз каскадів підсилення. Оцінка та режими роботи схем СЕ, СБ, СК. Використання уніполярних і біполярних транзисторів, переваги. Трансформаторні та безтрансформаторні схеми.
Аналогові електронні пристрої
Вибір схеми підсилювача. Розрахунок каскаду підсилення на біполярному транзисторі. Графоаналітичний розрахунок робочого режиму. Схема каскаду підсилення для підсилення малих сигналів без спотворень. Параметри транзистора та кола зміщення каскаду.
Історія обчислювальної техніки учениці класу школи
Реферат З ІНФОРМАТИКИ НА ТЕМУ: Історія обчислювальної техніки учениці .... класу ... школи План: Розвиток технологій до 0 років до н.е. Леонардо да Вінчі та його спроби створити першу обчислювальну машину
Історія виникнення ЕОМ
Реферат на тему: Історія виникнення ЕОМ 1936 р. - Перший комп'ютер Німецький інженер Конрад Цузе був першим, хто успішно здійснив ідею створення обчислювальної машини на основі двійкової системи числення. У 1936 році він початків конструювати обчислювальний апарат, що працює в двійковій системі числення, що згодом був названий Zuse ( (Z1..