ФОТОРЕЗИСТОР (от фото... и резистор), представляет собой непроволочный полупроводниковый резистор , омическое сопротивление которого определяется степенью освещенности . В основе принципа действия фоторезисторов лежит явление фотопроводимости полупроводников. Фотопроводимость- увеличение электрической проводимости полупроводника под действием света. Причина фотопроводимости — увеличение концентрации носителей заряда — электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне. Светочувствительный слой полупроводникового материала в таких сопротивлениях помещен между двумя токопроводящими электродами. Под воздействием светового потока электрическое сопротивление слоя меняется в несколько раз (у некоторых типов фотосопротивлений оно уменьшается на два- три порядка). В зависимости от применяемого слоя полупроводникового материала фотосопротивления подразделяются на сернисто-свинцовые, сернисто-кадмиевые, сернисто-висмутовые и поликристаллические селено- кадмиевые. Фотосопротивления обладают высокой чувствительностью , стабильностью , экономичны и надежны в эксплуатации. В целом ряде случаев они с успехом заменяют вакуумные и газонаполненные фотоэлементы.
Основные характеристики фотосопротивлений.
Рабочая площадь.
Темновое сопротивление (сопротивление в полной темноте), варьирует в обычных приборах от 1000 до 100000000 ом.
Удельная чувствительность, где:
Предельное рабочее напряжение ( как правило от 1 до 1000 в ).
Среднее относительное изменение сопротивления, % - обычно лежит в пределах 10 - 99,9 %,
6. Средняя кратность изменения сопротивления ( как правило от 1 до 1000 ). Определяется соотношением : Rt/Rc.
Применение: устройства воспроизведения звука, системы слежения, различные устройства автоматики.
Схема включения фоторезисторов:
При определенном освещении сопротивление фотоэлемента уменьшается, а, следовательно, сила тока в цепи возрастает, достигая значения, достаточного для работы какого- либо устройства ( схематично показано в виде некоторого сопротивления нагрузки ).
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
Белов И. Ф., Дрызго Е. В. Справочник по радиодеталям. М., “ Советское радио”, 1973.
2. Шифман Д. Х. Системы автоматического управления. М., “Энергия”, 1965.
Другие работы по теме:
Внутренний фотоэффект
Общая характеристика внутреннего фотоэффекта, его особенности, история открытия и изучения. Использование данного эффекта для измерения фотоэлектрических преобразователей, датчиков положения, двухкоординатного измерения положения и датчиков шероховатости.
Фотоэлектрические свойства нитрида алюминия
Введение За последние годы УФ-техника интенсивно развивается. Это обусловлено прежде всего появлением новых технических идей, позволяющих улучшить эксплуатационные характеристики УФ-систем, упростить их конструкцию и существенно снизить стоимость. Новые идеи относятся в первую очередь к основным элементам приемо-передающей системы -- фотоприемному устройству и излучателю.
Фоторезисторы
ФОТОРЕЗИСТОР (от фото... и резистор), представляет собой непроволочный полупроводниковый резистор , омическое сопротивление которого определяется степенью освещенности . В основе принципа действия фоторезисторов лежит явление фотопроводимости полупроводников. Фотопроводимость- увеличение электрической проводимости полупроводника под действием света.
Узлы функциональной электроники
Введение Устройства функциональной электроники – это устройства, которые работают на различных физических явлениях, работа связана с использованием динамических неоднородностей ( временные дефекты в однородном твердом теле ). Их функционирование описывается уравнениями математической физики.
Матричные фотоприемники
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РЕСПУБЛИКИ МОЛДОВА Технический Университет Молдовы Факультет Радиоэлектроники Кафедра Телекоммуникаци Курсовая работа
Применение фотоэффекта
Характеристика сущности и особенностей фотоэффекта. Отличительные черты внешнего (который используется в вакуумном фотоэлементе) и внутреннего фотоэффекта. Принцип работы вентильного вида – когда электроны переходят из освещённой области в неосвещённую.
Визначення дійсного значення частот обертання шпинделя
Розрахунки і побудова графіків частот обертання шпинделя, методика визначення дійсного значення. Порівняння теоретичних розрахунків та експериментальних даних. Кінематична схема та структурна формула. Оцінка похибок розрахунків частот обертання шпинделя.
Оптикоэлектроника
Оптоэлектроника Оптоэлектроника — одно из наиболее развитых направлений в функциональной микроэлектронике, поскольку оптические и фотоэлектрические явления достаточно хорошо изучены, а технические средства, основанные на этих явлениях, длительное время используются в электронике (фотоэлементы, фотоэлектронные умножители, фотодиоды, фототранзисторы и др.).
Фотоэлементы
При освещении полупроводника, в нем происходит генерация электронно-дырочных пар за счет переброса электронов из валентной зоны в зону проводимости. Вследствие этого проводимость полупроводника возрастает.
Клиническая термография
Биофизические и медико–биологические основы термодиагностики. Сущность медицинской термографии - регистрации естественного теплового излучения тела как способа диспансеризации и диагностики, физиологические основы. Методика радиотермометрии (СВЧ).
Электрические схемы
СОДЕРЖАНИЕ ВВЕДЕНИЕ 3 ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О СХЕМАХ 5 ОБЩИЕ ПРАВИЛА СОЗДАНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СХЕМ 7 ТРЕБОВАНИЯ К ГРАФИЧЕСКОМУ ОФОРМЛЕНИЮ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СХЕМ 14
Методичка по экономике
ЗАДАНИЕ 2 РАСЧЁТ СЕБЕСТОИМОСТИ И ОПТОВОЙ цены устройства (по условным исходным данным) Введение. Расчёт всех статей калькуляции и определение цеховой, производственной, полной себестоимости и оптовой цены на одно изделие.
Интегральная микросхема КР1533ТВ6
ГОСКОМСТАТ РФ УФИМСКИЙ КОЛЛЕДЖ СТАТИСТИКИ, ИНФОРМАТИКИ И ВЫЧИСЛИТЕЛЬНОЙ ТЕХНИКИ. Предмет: «Микросхемотехника» Интегральная м икросхема КР1533ТВ6
Промислова електроніка
Міністерство освіти і науки України Індустріальний технікум Дон ДТУ МЕТОДИЧНІ РЕКОМЕНДАЦІЇ до виконання лабораторних робіт з дисципліни «Промислова електроніка»
Приймачі випромінювання
Перетворення енергії оптичного випромінювання в енергію будь-якого іншого вигляду (електричну, теплову) за допомогою приймачів: теплових та фотоелектричних. Схеми та режими роботи матеріалів фотодіодів інверсійного приймача: світлочутливість елементів.
Приборы полупроводниковые
Термины и определения ГОСТ 15133-77 (СТ СЭВ 2767-80) Физические элементы полупроводниковых приборов Электрический переход (Переход, Elektrischer Ubergang (Sperrschicht), Junction) – переходный слой в полупроводниковом материале между двумя областями с различными типами электропроводности или разными значениями удельной электрической проводимости (одна из областей может быть металлом).
Приборы полупроводниковые
Физические элементы полупроводниковых приборов. Электрический переход. Резкий переход. Плоскостной переход. Диффузионный переход. Планарный переход. Явления в полупроводниковых приборах. Виды полупроводниковых приборов. Элементы конструкции.
Основные правила оформления схем
Курсовая работа Тема: Основные правила оформления схем СОДЕРЖАНИЕ Введение I Теоретические основы оформления схем 1 Типизация и основные виды схем 2 Глосаррий
Фотолитография
Производство полупроводникового кремния. Действие кремниевой пыли на организм. Защита органов дыхания. Литография как формирование в активночувствительном слое, нанесенном на поверхность подложек, рельефного рисунка. Параметры и свойства фоторезистов.
Понятие и устройство фотодиода
Фотодиод, полупроводниковый диод, обладающий свойством односторонней фотопроводимости при воздействии на него оптического излучения. Ф. представляет собой полупроводниковый кристалл обычно с электронно-дырочным переходом (р–n-переходом), снабженный 2 металлическими выводами (один от р-, другой от n-области) и вмонтированный в металлический или пластмассовый защитный корпус.
Моделювання елементів і каналу системи збору даних
Моделювання електричної схеми на базі пакета Micro-Cap. Розробка схеми, яка забезпечувала б коефіцієнт посилення вхідного сигналу К=3, мала б два фільтра високих частот з частотою зрізу F=10Гц (ФНЧ ) та низьких частот (ФВЧ) з частотою зрізу F=10кГц.