Темы ов по дисциплине "Технологические процессы микроэлектроники" Очистка поверхности подложек гис (виды загрязнений, способы очистки и контроля)

Остальные рефераты » Темы ов по дисциплине "Технологические процессы микроэлектроники" Очистка поверхности подложек гис (виды загрязнений, способы очистки и контроля)

Темы рефератов по дисциплине "Технологические процессы микроэлектроники"


1. Очистка поверхности подложек ГИС (виды загрязнений, способы очистки и контроля).-

2. Сравнительная характеристика разновидностей процессов ионного нанесения пленок.-

3. Невакуумные методы получения тонких пленок в технологии ИМС.-

4. Выращивание эпитаксиальных слоев GaAs (в т.ч. легированных).

5. Особенности технологических процессов изготовления БИС.-

6. Разновидности методов диффузии (сущность методов, сравнительная характеристика, перспективные направления).-

7. Лучевые методы размерной обработки тонких пленок.-

8. Фото-, электроно- и рентгенорезисты в технологии ИМС.-

9. Фото-, электроно- и рентгеношаблоны, применяемые в технологии ИМС.-

10. Изотропное (жидкостное химическое) и анизотропное (сухое ионное) травление в технологии ИМС.-

11. Современное состояние и перспективы развития фотолитографических процессов в технологии ИМС-

12. Рентгеновская и ионная литография.-

13. Современное состояние и перспективы развития проводниковых и изолирующих паст для изготовления толстопленочных ИМС микросборок.

14. Современное состояние и перспективы развития резистивных паст для изготовления толстопленочных ИМС микросборок.-

15. Современное состояние и перспективы развития многослойной разводки при изготовлении толстопленочных ИМС микросборок.

16. Конструкции подколпачных устройств установок термовакуумного напыления.

17. Сварка термокомпрессией в технологии ИМС и микросборок.-

18. Пайка в технологии ИМС и микросборок.-

19. Лазерная и электронная сварка в технологии ИМС и микросборок.-

20. Технологические процессы герметизации ИМС.-

21. Электронно-лучевые методы формирования элементов ИМС.-

22. Многоуровневая коммутация в технологии полупроводниковых ИМС.-

23. Выращивание эпитаксиальных слоев Si(в т.ч. легированных)..

24. Получение диэлектрических пленок в технологии полупроводниковых ИМС.-

25. Получение диэлектрических пленок в технологии гибридных ИМС.-

26. Танталовая технология изготовления RC-структур.

27. Ионное легирование в технологии полупроводниковых ИМС.

28. Сравнительная характеристика конструкций и методов изготовления резисторов в различных типах ИМС (тонкопленочных, толстопленочных, полупроводниковых).

29. Сравнительная характеристика конструкций и методов изготовления конденсаторов в различных типах ИМС (тонкопленочных, толстопленочных, полупроводниковых).

30. Сравнительная характеристика конструкций и методов изготовления коммутирующих элементов в различных типах ИМС (тонкопленочных, толстопленочных, полупроводниковых).

31. Многоуровневая коммутация в технологии тонкопленочных ИМС и микросборок.

32. Бескорпусная элементная база ГИС и микросборок.