Лабораторная работа 1
Тема: "Исследование биполярного транзистора"
Цель: Получение входных и выходных характеристик транзистора.
Приборы и элементы: Биполярный транзистор 2N3904, источник постоянной ЭДС, источник переменной ЭДС, амперметры, вольтметры, осциллограф, резисторы.
Ход работы:
1. Получение выходной характеристики транзистора в схеме с ОЭ.
а) В схеме (рис. 1) провели измерения тока коллектора IК для каждого значения ЕК и ЕБ и заполнили таблицу 1 в разделе «Результаты экспериментов». По данным таблицы построили график зависимости IК от Ек.
б) Построили схему, изображенную на рис. 2. Включили схему. Зарисовали осциллограмму выходной характеристики, соблюдая масштаб, в разделе «Результаты экспериментов». Повторили измерения для каждого значения ЕБ из таблицы 1. Осциллограммы выходных характеристик для разных токов базы зарисовали в разделе «Результаты экспериментов» на одном графике.
Рисунок 1. – Схема биполярного транзистора с ОЭ
в) По выходной характеристике нашли коэффициент передачи тока рас при изменении базового тока с 10 µА до 30 µА, Ек = 10 В. – Результат записали в раздел «Результаты экспериментов».
Таблица 1. – Результаты экспериментов
|
|
|
| Ek |
|
|
|
Eb | Ib(mkA) | 0,1 | 0,5 | 1 | 5 | 10 | 20 |
1,66 | 9.245 | 0,783 | 1,604 | 1,622 | 1,673 | 1,749 | 1,901 |
2,68 | 19.23 | 1,656 | 3,453 | 3,469 | 3,595 | 3,753 | 4,069 |
3,68 | 29.11 | 2,479 | 5,209 | 5,233 | 5,422 | 5,657 | 6,129 |
4,68 | 39.02 | 3,269 | 6,903 | 6,934 | 7,182 | 7,493 | 8,115 |
5,7 | 49.15 | 4,042 | 8,656 | 8,606 | 8,914 | 9,29 | 10,07 |
Рисунок 2. – График зависимости тока от напряжения
2. Получение входной характеристики транзистора в схеме с ОЭ.
а) На схеме (рис. 1) установили значение напряжения источника Ек равным 10 В и провели измерения тока базы iБ, напряжения база-эмиттер U6э, тока эмиттера IЭ для различных значений напряжения источника Eg в соответствии с таблицей 10.2 в разделе «Результаты экспериментов». Обратили внимание, что коллекторный ток примерно равен току в цепи эмиттера.
б) В разделе «Результаты экспериментов» по данным таблицы 2 построили график зависимости тока базы от напряжения база-эмиттер.
в) Построили схему, изображенную на рис 3. Включили схему. Зарисовали входную характеристику транзистора, соблюдая масштаб, в разделе «Результаты экспериментов»
Рисунок 3. – Схема биполярного транзистора с ОЭ.
г) По входной характеристике нашли сопротивление rВХ при изменении базового тока с 10 µA до 30 µА Результат записали в раздел «Результаты экспериментов».
Рисунок 4. – Показания осциллографа
Таблица 2. – Результаты экспериментов
Eб | 1,66 | 2,68 | 3,68 | 4,68 | 5,7 |
Iб | 9,245 | 19,23 | 29,11 | 39,02 | 49,15 |
Uбэ | 735,5 | 757,1 | 769,3 | 778,2 | 785,3 |
Ik | 1,749 | 3,753 | 5,657 | 7,493 | 9,299 |
Рисунок 5. – График зависимости тока от напряжения
Рисунок 6. – Схема биполярного транзистора с ОЭ
Рисунок 7. – Показания осциллографа
Другие работы по теме:
Самостоятельная нагрузка
Биполярный транзистор как трехэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора, его отличительные характеристики, устройство и элементы. Принцип действия транзисторов и схема его включения. Входная и выходная характеристика транзистора.
Расчет ребристого радиатора
Реферат Тема: "Расчет ребристого радиатора" 2009 Расчёт ребристого радиатора при естественном воздушном охлаждении для транзистора 2Т808А заданной мощности 15 Вт
Исследование полевых транзисторов
ГУАП КАФЕДРА № 25 ОТЧЕТ ЗАЩИЩЕН С ОЦЕНКОЙ ПРЕПОДАВАТЕЛЬ должность, уч. степень, звание подпись, дата инициалы, фамилия ОТЧЕТ О ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Исследование биполярного транзистора МП-40А
Параметры транзистора МП–40А, чертеж его основных выводов. Входная и выходная характеристики данного транзистора. Определение параметров для схемы с общим эмиттером. Схема с общим коллектором и общей базой. Расчет параметров для соответствующей схемы.
Исследование биполярного транзистора
Получение входных и выходных характеристик транзистора. Включение биполярного транзистора по схеме с общим эмиттером. Проведение измерения тока базы, напряжения база-эмиттер и тока эмиттера для значений напряжения источника. Расчет коллекторного тока.
Расчет ребристого радиатора
Методика и характеристика основных этапов расчёта ребристого радиатора при естественном воздушном охлаждении для транзистора 2Т808А заданной мощности 15 Вт. Определение необходимого напора внутри радиатора, температуры среды и коэффициента теплоотдачи.
Расчет усилителя низкой частоты
Реферат Курсовая работа оформлена на 35 страницах машинописного текста, содержит 18 рисунков, 16 источников использованной литературы и 5 приложений.
Расчет усилителя на биполярном транзисторе
Расчетно-графическая работа по курсу электроники. Расчет однокаскадного усилителя. Вариант №25. Задание: Требуется рассчитать однокаскадный усилитель на биполярном транзисторе, схема которого приведена ниже. В этой схеме тип транзистора определяется полярностью заданного напряжения.
Расчет полевого транзистора
1 Расчет входной и выходной характеристики транзистора с использованием модели Молла – Эберса. 1.1 Расчет и построение выходных характеристик транзистора
Биполярные транзисторы 5
Московский Ордена Ленина, Ордена Октябрьской Революции и Ордена Трудового Красного Знамени ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ им. Н.Э.БАУМАНА
является с
Курсовая работа это учебная научно-исследовательская работа студента, которая выполняется на протяжении всего курса под руководством преподавателя и оформляется по определенным правилам
Низкочастотный усилитель напряжения
Расчет элементов усилителя напряжения низкой частоты Амплитуда входного сигнала 1 мВ Сопротивление генератора входного сигнала 5 кОм Амплитуда выходного сигнала 5 В
Усилительный каскад на биполярном транзисторе
Разработка и расчет основных характеристик усилительных каскадов. Сущность и применение графоаналитического метода. Вычисление параметров эквивалентных схем биполярных и полевых транзисторов. Нелинейные искажения и анализ данных в усилительном каскаде.
Низкочастотный усилитель напряжения
Расчет элементов усилителя напряжения низкой частоты по заданным параметрам. Расчет усилительного каскада на транзисторе структуры p-n-p, включенного по схеме с ОЭ по постоянному току (1-ый и 2-ой каскад). Методика определения емкостей элементов.
Исследование биполярного транзистора
Исследование статических характеристик биполярного транзистора. Наружная область с наибольшей концентрацией примеси. Схема подключения к источникам питания. Дифференциальное входное сопротивление. Дифференциальное сопротивление перехода база-эмиттер.
Функциональные устройства телекоммуникаций
Контрольное задание №1 Исходные данные (Вариант №4): Еп, В I0K, мА U0КЭ, В EГ, мВ RГ, кОм fН, Гц fВ, кГц M, дБ tСМИН, оC tСМАКС, оC Изобразим полную принципиальную схему предварительного каскада элементами связи с источником сигнала и последующим каскадом.
Биполярные транзисторы
Устройство плоскостного биполярного транзистора. Концентрация основных носителей заряда. Схемы включения биполярных транзисторов. Статические характеристики биполярных транзисторов. Простейший усилительный каскад. Режимы работы и область применения.
Функциональные устройства телекоммуникаций
Принципиальная схема предварительного каскада с источником сигнала и последующим каскадом. Выбор типа транзистора, исходя из заданного режима его работы и частоты верхнего среза усилителя. Расчет параметров малосигнальной модели биполярного транзистора.
Разработка двухкаскадного усилителя с непосредственной связью
Критерии выбора типа транзистора для усилительного каскада (напряжение между коллектором и эмиттером). Расчет режима работы по постоянному и переменному току, значений резисторов, конденсаторов, индуктивностей. Ознакомление с программой Micro Cap 8.
Моделирование электрических цепей с нелинейными элементами
Моделирование схем с резистивным нелинейным элементом. Исследование характеристик транзистора. Графический ввод, редактирование и анализ принципиальных схем в режимах анализа переходных процессов, частотного анализа и анализа в режиме постоянного тока.
Шокли Уильям
Шокли (Chockley) Уильям Брэдфорд (1910, Лондон - 1989), американский физик. Труды по физике твердого тела и полупроводников.
Підсилювачі на НВЧ - транзисторах.
Лекція 31 . Підсилювачі НВЧ відрізняються від звичайних тим, що треба узгодити вхід-вихід та каскади. Наприклад розглянемо еквівалентну схему транзистора АП-326А: