Реферат: Расчет поля между эквипотенциальными поверхностями в неоднородной среде в отсутствие объемного заряда - Refy.ru - Сайт рефератов, докладов, сочинений, дипломных и курсовых работ

Расчет поля между эквипотенциальными поверхностями в неоднородной среде в отсутствие объемного заряда

Рефераты по математике » Расчет поля между эквипотенциальными поверхностями в неоднородной среде в отсутствие объемного заряда

М.И. Векслер, Г.Г. Зегря

Это типичная ситуация в конденсаторе. Для ее рассмотрения используется уравнение Пуассона с ρ = 0, которое интегрируется с учетом условий φ(x1) = φ1, φ(x2) = φ2 (для плоскостного случая) или φ(r1) = φ1, φ(r2) = φ2 (сфера, цилиндр). Рассмотрим далее случай плоскости.

divleft(varepsilon_0varepsilon(x) grad varphiright) = 0

frac{{rm d}varphi(x)}{{rm d}x} = frac {A}{varepsilon(x)}

varphi(x) = varphi_1+ {A} cdot int limits_{x_1}^x varepsilon^{-1}(tilde{x}){rm d}tilde{x}, A = frac{varphi_2-varphi_1}{intlimits_{x_1}^{x_2} varepsilon^{-1}(tilde{x}) {rm d} tilde{x}}

Далее можно дифференцированием по x найти поле Ex и Dx:

E_x = -frac{{rm d}varphi}{{rm d}x} = -{A}varepsilon^{-1}(x), D_x = varepsilon_0varepsilon(x)E_x = -varepsilon_0cdot A

Следующий шаг - нахождение поляризованности и ее дивергенции, то есть связанного заряда ρ':

P_x = varepsilon_0(varepsilon(x)-1)E_x = -Avarepsilon_0frac{varepsilon(x)-1}{varepsilon(x)}, rho' = -frac{{rm d}P_x}{{rm d}x} = varepsilon_0cdot A frac{varepsilon'(x)}{varepsilon^2(x)}

В точках разрыва ε(x) (на стыке двух диэлектриков) производная ε'(x) обращается в бесконечность, формула для ρ' cтановится неприменимой и надо искать поверхностный связанный заряд:

sigma'(x_0) = -P_x|_{x_0+}+P_x|_{x_0-} = Avarepsilon_0left[frac{varepsilon(x_0+)-1}{varepsilon(x_0+)} -frac{varepsilon(x_0-)-1}{varepsilon(x_0-)}right]

Обязательно проверяются условия на границах (в данном случае x1, x2) на наличие поверхностного связанного заряда:

sigma'(x_2) = P_x|_{x_2-} = -Avarepsilon_0 frac{varepsilon(x_2-)-1}{varepsilon(x_2-)}, sigma' (x_1) = -P_x|_{x_1+} = Avarepsilon_0frac{varepsilon(x_1+)-1} {varepsilon(x_1+)}

В сферическом и цилиндрическом случаях надо правильно писать div в соответствующей системе координат. Выражения для φ(r) принимают вид:

φ(r) =

varphi(R_1) +frac{varphi_2- varphi_1}{intlimits_{R_1}^{R_2}tilde{r}^{-1}varepsilon^ {-1}(tilde{r}){rm d}tilde{r}}cdot intlimits_{R_1}^r varepsilon^{-1}(tilde{r})tilde{r}^{-1}{rm d}tilde{r} - {rm цилиндрический}

φ(r) =

varphi(R_1) +frac{varphi_2- varphi_1}{intlimits_{R_1}^{R_2}tilde{r}^{-2}varepsilon^ {-1}(tilde{r}){rm d}tilde{r}}cdot intlimits_{R_1}^r varepsilon^{-1}(tilde{r})tilde{r}^{-2}{rm d}tilde{r} - {rm сферический случай}

после чего Er(r) и связанные заряды находятся аналогично тому, как это было сделано выше для плоскостного (декартового) случая.

Задача. Получить выражения для φ(r), Er(r), ρ ', σ ' в случае цилиндрической и сферической симметрии, если заданы зависимость ε(r), а также потенциалы граничных поверхностей φ(R1(2)) = φ1(2). ρ = 0.

Указание: Для промежуточной проверки использовать вышеприведенные выражения для потенциала.

Задача. Пространство между обкладками плоского конденсатора шириной d заполнено неоднородным диэлектриком c проницаемостью ε(x) = 1+α x. Найти φ(x), Ex(x), ρ ', σ ' на обкладках.

Решение: Будем считать, что конденсатор занимает область координат x = 0... d, причем потенциал одной обкладки (x = 0) равен φ1 = 0, а другой φ2 = U. Тогда зависимость потенциала от координаты находится как

varphi(x) =Ucdotleft(intlimits_0^dfrac{1} {1+alpha tilde{x}} {rm d}tilde{x}right)^{-1}cdot int limits_0^xfrac{1}{1+alpha tilde{x}} {rm d}tilde{x} = frac{U}{ln(1+alpha d)}cdot ln(1+alpha x)

после чего находим поле Ex(x) дифференцированием:

E_x(x) = -frac{{rm d}varphi}{{rm d}x} = -frac{U} {ln(1+alpha d)}cdot frac{alpha}{1+alpha x}

и далее получаем поляризованность Px:

P_x(x) = varepsilon_0(alpha x)E_x = -frac{varepsilon_0alpha^2U x}{ln(1+alpha d)(1+alpha x)}

Взяв дивергенцию, получаем объемный связанный заряд:

rho '(x) = -divvec{P} = -frac{{rm d}}{{rm d} x} P_x = +frac{varepsilon_0alpha^2U}{ln(1+alpha d)}cdot frac{1}{(1+alpha x)^2}

и еще проверяем условия на обкладках на наличие поверхностного заряда σ ':

σ '|x = 0 = –Px|x = 0+ = 0
σ '|x = d =

P_x|_{x=d-} = -frac{varepsilon_0alpha^2Ud} {ln(1+alpha d)(1+alpha d)}

Как и следовало ожидать, σ '|x = 0 = 0, поскольку у обкладки x = 0 диэлектрическая проницаемость равнa единице. Если U>0, то σ '|x = d<0, что тоже естественно: у обкладки x = d должен концентрироваться отрицательный связанный заряд. Для проверки найдем суммарный связанный заряд на единицу площали обкладки конденсатора - этот заряд должен оказаться равным нулю. Действительно,

frac{q '}{S}

=

intlimits_0^drho '(x) {rm d}x +sigma '|_{x=0}+sigma '|_{x=d} =

=

intlimits_0^dfrac{varepsilon_0 alpha^2U}{ln(1+alpha d)}cdot frac{1}{(1+alpha x)^2} {rm d}x +0 - frac{varepsilon_0alpha^2Ud}{ln(1+alpha d)(1+alpha d)} =

=

frac{varepsilon_0alpha^2U}{ln(1+alpha d)}cdot left.frac{-1}{alpha(1+alpha x)}right|_0^d - frac{varepsilon_0 alpha^2Ud}{ln(1+alpha d)(1+alpha d)} = 0

Список литературы

1. И.Е. Иродов, Задачи по общей физике, 3-е изд., М.: Издательство БИНОМ, 1998. - 448 с.; или 2-е изд., М.: Наука, 1988. - 416 с.

2. В.В. Батыгин, И.Н. Топтыгин, Сборник задач по электродинамике (под ред. М.М. Бредова), 2-е изд., М.: Наука, 1970. - 503 с.

3. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц, Теоретическая физика. т.8 Электродинамика сплошных сред, 2-е изд., М.: Наука, 1992. - 661 с.

Для подготовки данной работы были использованы материалы с сайта edu.ioffe/r