Реферат: Расчет поля симметричного распределения зарядов в неоднородной среде по теореме Гаусса - Refy.ru - Сайт рефератов, докладов, сочинений, дипломных и курсовых работ

Расчет поля симметричного распределения зарядов в неоднородной среде по теореме Гаусса

Рефераты по математике » Расчет поля симметричного распределения зарядов в неоднородной среде по теореме Гаусса

М.И. Векслер, Г.Г. Зегря

Рассмотрим пример сферической системы ρ = ρ(r), кроме того, возможно, имеются заряженные сферы (Ri, σi) и/или точечный заряд qc в центре. Помимо этого, ε = ε(r). Согласно теореме Гаусса,

qinside = 4π r2 Dr = 4π ε0ε(r) r2 Er (31)

E_r = frac{1}{4pivarepsilon_0 varepsilon(r)r^2}q_{inside}, P_r = frac{varepsilon(r)-1} {4pivarepsilon(r)r^2}q_{inside}

(32)

rho'(r) = -frac{1}{r^2}frac{{rm d}}{{rm d} r}left(r^2P_rright) = -frac{1}{4pi r^2}left[frac{varepsilon'(r)} {varepsilon^2(r)} q_{inside}(r) + frac{varepsilon(r)-1}{varepsilon(r)} q_{inside}'(r)right]

(33)

При наличии только объемного стороннего заряда ρ

rho'(r) = -frac{1}{4pi r^2}left[frac{varepsilon'(r)} {varepsilon^2(r)} q_{inside}(r) + frac{varepsilon(r)-1}{varepsilon(r)} 4pi r^2 rho(r)right]

(34)

В точках разрыва ε(r) (на стыке двух диэлектриков) или qinside(r) (в момент "перехода" через заряженную сферу) соответствующая производная ε'(r) или qinside'(r) имеет разрыв. При этом поверхностный связанный заряд составляет:

sigma'|_{r=r_0} = -P_r|_{r=r_0+}+P_r|_{r=r_0-}

(35)

Другие значения r проверять на наличие связанного заряда бессмысленно, так как там заведомо σ' = 0.

Задача. Имеются две концентрические заряженные сферы (σ1, R1 и σ2, R2). Найти Er(r), φ(r) и σ ', если пространство между сферами заполнено однородным диэлектриком с проницаемостью ε.

Решение Такая задача, только без диэлектрика между обкладками, уже была решена нами с использованием теоремы Гаусса. Единственным отличием здесь будет связь Dr(r) и Er(r) в области R1<r<R2: если раньше она была Dr = ε0Er, то теперь Dr = ε0ε Er. Это повлечет за собой некоторые изменения в формулах.

Как и раньше,

qinside = 4π r2 Dr(r)

причем

qinside = 0 при r<R1
4πσ1R12 при R1<r<R2
4πσ1R12+4πσ2R22 при r>R2

Поле на каждом из участков будет

Er = 0 при r<R1

frac{sigma_1R_1^2}{varepsilon_0varepsilon r^2} {rm при} R_1&lt;r&lt;R_2

frac{sigma_1R_1^2+sigma_2R_2^2}{varepsilon_0r^2} {rm при} r&gt;R_2

При вычислении потенциала мы должны вычислить intlimits_r^{+infty} E_r(tilde{r}){rm d}tilde{r}. При этом необходимо правильно выписывать Er на каждoм участке:

φ(r) =

intlimits_r^{R_1}0 {rm d}tilde{r} +intlimits_{R_1}^{R_2} frac{sigma_1R_1^2}{varepsilon_0varepsilon tilde{r}^2}{rm d}tilde{r} + intlimits_{R_2}^{+infty} frac{ sigma_1R_1^2+sigma_2R_2^2}{varepsilon_0tilde{r}^2}{rm d}tilde{r} =

=

0+frac{sigma_1R_1^2}{varepsilon_0varepsilon} left(frac{1}{R_1}-frac{1}{R_2}right) + frac{sigma_1R_1^2+ sigma_2R_2^2} {varepsilon_0}frac{1}{R_2} {rm при} r&lt;R_1

φ(r) =

intlimits_{r}^{R_2} frac{sigma_1R_1^2}{varepsilon_0 varepsilontilde{r}^2}{rm d}tilde{r} + intlimits_{R_2}^{+infty} frac{sigma_1R_1^2+sigma_2R_2^2}{varepsilon_0tilde{r}^2}{rm d}tilde{r} =

=

frac{sigma_1R_1^2}{varepsilon_0varepsilon}left( frac{1}{r}-frac{1}{R_2}right) + frac{sigma_1R_1^2+ sigma_2R_2^2} {varepsilon_0}frac{1}{R_2} {rm при} R_1&lt;r&lt;R_2

φ(r) =

intlimits_{r}^{+infty} frac{sigma_1 R_1^2+sigma_2R_2^2}{varepsilon_0tilde{r}^2}{rm d}tilde{r} =

=

frac{sigma_1R_1^2+ sigma_2R_2^2} {varepsilon_0}frac{1}{r} {rm при} r&gt;R_2

В некоторых выражениях для φ(r) (но не всюду!) появилась дополнительная величина ε.

Для нахождения σ ' на сферах r = R1 и r = R2 нам потребуются значения поляризованности с обеих сторон каждой из сфер:

P_r|_{r=R_1-} = 0

,

 P_r|_{r=R_1+} = varepsilon_0(varepsilon-1)E_r|_{r=R_1+} = frac{sigma_1(varepsilon -1)}{varepsilon}

P_r|_{r=R_2-} = frac{sigma_1R_1^2(varepsilon-1)} {varepsilon R_2^2}

,

P_r|_{r=R_2+} = 0

Нулевые значения появились из-за отсутствия диэлектрика в областях r<R1 и r>R2. Сразу же находим sigma '|_{r=R_1}и sigma '|_{r=R_2}(на других поверхностях никакого связанного заряда нет):

sigma '|_{r=R_1}

=

-P_r|_{r=R_1+} = -frac{sigma_1(varepsilon-1)}{varepsilon}

sigma '|_{r=R_2}

=

P_r|_{r=R_2-} = frac{sigma_1R_1^2 (varepsilon-1)}{varepsilon R_2^2}

Легко проверить, что суммарный связанный заряд, то есть 4pi R_1^2sigma '|_{r=R_1} + 4pi R_2^2sigma '|_{r=R_2}, равен нулю, как и должно быть.

Задача. Шар радиуса R равномерно заряжен по объему сторонним зарядом ρ. Проницаемость шара ε. Найти Er(r), φ(r), ρ'(r), σ' на краю шара.

Ответ: E_r(r) = frac{rho_0r}{3varepsilon_0varepsilon}, r&lt;R;  E_r(r) = frac{rho_0R^3}{3varepsilon_0r^2}, r&gt;R;

left. right. varphi(r) = frac{rho_0R^2}{3varepsilon_0}+frac{rho_0} {6varepsilon_0varepsilon} (R^2-r^2), r&lt;R; varphi(r) = frac{rho_0R^3}{3varepsilon_0r}, r&gt;R;

left. right.rho '=-frac{rho_0(varepsilon-1)}{varepsilon}, r&lt;R; sigma '|_{r=R} = frac{rho_0R(varepsilon-1)}{3varepsilon}.

Список литературы

1. И.Е. Иродов, Задачи по общей физике, 3-е изд., М.: Издательство БИНОМ, 1998. - 448 с.; или 2-е изд., М.: Наука, 1988. - 416 с.

2. В.В. Батыгин, И.Н. Топтыгин, Сборник задач по электродинамике (под ред. М.М. Бредова), 2-е изд., М.: Наука, 1970. - 503 с.

3. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц, Теоретическая физика. т.8 Электродинамика сплошных сред, 2-е изд., М.: Наука, 1992. - 661 с.

Для подготовки данной работы были использованы материалы с сайта edu.ioffe/r